大家好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公司(sī)在华销(xiāo)售的产品未通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办(bàn)消息，日前(qián)，网络安全审查(chá)办公室依法对美光公司在华销售产品进(jìn)行了(le)网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存在(zài)较严(yán)重网络(luò)安全问题(tí)隐患，对我国关(guān)键信(xìn)息基础设施供应链造成重大安全风险，影响我国国(guó)家安(ān)全。为(wèi)此，网络安(ān)全审查办公室依法(fǎ)作出不予通(tōng)过网络安(ān)全(quán)审查的结论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我国内(nèi)关(guān)键信息(xī)基(jī)础设施(shī)的运营(yíng)者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美(měi)光(guāng)公(gōng)司产品进行(xíng)网络安全审(shěn)查，目(mù)的是(shì)防范产品(pǐn)网络(luò)安全(quán)问题危害(hài)国家关(guān)键信息基础设施安全，是维护国家安全的必要(yào)措施。中国坚定推进(jìn)高水平对外开放，只要(yào)遵守中国法律法规要求，欢迎各(gè)国企业、各(gè)类(lèi)平台(tái)产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国(guó)网信(xìn)网发文称，为保障关键信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施供(gōng)应链(liàn)安全，防(fáng)范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风(fēng)险，维护国家(jiā)安(ān)全，依据《中华(huá)人民共和国(guó)国(guó)家(jiā)安全法》《中华人民共和(hé)国(guó)网络安全(quán)法》，网络安全审查办公室(shì曼妙是什么意思解释，身姿曼妙是什么意思)按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销(xiāo)售的(de)产品实(shí)施网络(luò)安全审查。

　　美(měi)光(guāng)是美国的存储芯片行(xíng)业龙头(tóu)，也是(shì)全球存储芯(xīn)片巨头(tóu)之一，2022年收入来(lái)自中国市场收入(rù)从此前高(gāo)峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份(fèn)额(é)约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美(měi)光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露过美(měi)光等国(guó)际存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已经显著(zhù)下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光位列江波(bō)龙(lóng)第一大(dà)存储(chǔ)晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第三大供应(yīng)商(shāng)采购金(jīn)额占比(bǐ)分别是曼妙是什么意思解释，身姿曼妙是什么意思26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上(shàng)下游(yóu)建立(lì)国(guó)内外广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年(nián)年(nián)报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等(děng)主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩(gǒng)固公(gōng)司(sī)在下游市场的供应优势，公司(sī)也(yě)与国内国产存储晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长江存(cún)储(chǔ)、合肥长鑫保(bǎo)持(chí)良好的合(hé)作(zuò)。

　　有券商(shāng)此曼妙是什么意思解释，身姿曼妙是什么意思(cǐ)前就(jiù)分析(xī)，如果(guǒ)美光在中国区(qū)销售受到限制，或(huò)将导致(zhì)下游客户转而采(cǎi)购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析(xī)称(chēng)，长存(cún)、长鑫(xīn)的上游设备厂或(huò)从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿(yán)要刻到(dào) 60：1的(de)深孔，未(wèi)来可(kě)能会(huì)更(gèng)深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据(jù)东京电子(zi)披露，薄(báo)膜沉(chén)积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合(hé)计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储被加入美(měi)国限制名(míng)单，设(shè)备国(guó)产化(huà)进程(chéng)加速(sù)，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司(sī)份额(é)提升，以及存储(chǔ)业务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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