我想说世间万物一切都不及你是什么歌，满天星辰不及你歌词

　　大(dà)家好，来看(kàn)一则突发消息。

　　美光(guāng)公(gōng)司在华销售的产(chǎn)品未通过网络安(ān)全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安全审(shěn)查办公室依法对(duì)美光公司在华销(xiāo)售产品进行了网络(luò)安(ān)全审(shěn)查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存在较严重网络安全(quán)问题隐患(huàn)，对我国关(guān)键信息(xī)基础(chǔ)设施供应链造成(chéng)重大安全风(fēng)险，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安(ān)全我想说世间万物一切都不及你是什么歌，满天星辰不及你歌词审查办公室依法作出不予通过网络安全审(shěn)查的结论。按(àn)照《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我国内关键信(xìn)息基(jī)础设(shè)施的运(yùn)营者(zhě)应(yīng)停止采购(gòu)美(měi)光公(gōng)司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产(chǎn)品(pǐn)进行网络安(ān)全审查，目(mù)的是防范产品网络(luò)安全问(wèn)题危害(hài)国家关(guān)键信息基(jī)础设施安全，是维护国家安(ān)全(quán)的必要措施。中国坚定推(tuī)进高水平对外开放(fàng)，只要遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国企业(yè)、各(gè)类平台产品(pǐn)服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为(wèi)保障关键信息基础(chǔ)设施供应链安(ān)全，防范产品问题隐患造(zào)成网络安全风(fēng)险，维护国家(jiā)安全，依据《中华人民共(gòng)和国(guó)国家安全法》《中华(huá)人民共和国网络安(ān)全法》，网络安全(quán)审查办(bàn)公(gōng)室按照《网络安(ān)全审查办(bàn)法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安全(quán)审查。

　　美光(guāng)是(shì)美国的存(cún)储芯片行业龙(lóng)头，也(yě)是全球存储(chǔ)芯片巨(jù)头之(zhī)一我想说世间万物一切都不及你是什么歌，满天星辰不及你歌词(yī)，2022年收(shōu)入来自中国市(shì)场收入从此(cǐ)前(qián)高峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公(gōng)司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过(guò)美(měi)光(guāng)等国际存储厂商(shāng)为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波(bō)龙采(cǎi)购占比已(yǐ)经显著下降，至少(shǎo)已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年美光(guāng)位列江波(bō)龙第一大存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)供应(yīng)商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第(dì)三大(dà)供应商采购金(jīn)额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储(chǔ)产业(yè)链上下游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部(bù)数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长期合约(yuē)，确(què)保存储晶圆供(gōng)应(yīng)的稳(wěn)定性，巩固公(gōng)司(sī)在(zài)下游市场的(de)供应优势(shì)，公司也与国(guó)内国(guó)产(chǎn)存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保持良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券商此(cǐ)前就(jiù)分析，如果美光在中国区(qū)销售(shòu)受到限(xiàn)制(zhì)，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等(děng)竞对产品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或(huò)从中受益。存储器的(de)生产已经演(yǎn)进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时刻蚀(shí)目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可(kě)能会更深的(de)孔或(huò)者沟槽，催生(shēng)更多(duō)设备(bèi)需求。据东京电子披露，薄(báo)膜(mó)沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入(rù)美国限制名(míng)单，设备国(guó)产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄(báo)膜沉积(jī)）等(děng)相关公司份(fèn)额提(tí)升(shēng)，以及存储(chǔ)业务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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