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　　美光公司在华销售的产品未(wèi)通过网络(luò)安(ān)全(quán)审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络(luò)安全审查办公室(shì)依法对美光公司在(zài)华销售产品进行了(le)网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存在较严重网(wǎng)络安全问(wèn)题隐患，对(duì)我国(guó)关键信(xìn)息基础设施供应链造成重(zhòng)大安全风(fēng)险，影响我国国家(jiā)安全。复活的作者是谁，复活的作者是谁为此，网络安全审查办公室(shì)依法作出不予通过网络安(ān)全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我国内关键信息基础(chǔ)设(shè)施(shī)的(de)运营者应停止(zhǐ)采(cǎi)购美光公(gōng)司产品。

　　此次对(duì)美光公司产(chǎn)品进行网络(luò)安全审查，目的是防范(fàn)产品网络(luò)安全问题危(wēi)害(hài)国家关(guān)键信息基础设施安全(quán)，是维护国家安全的必要措施。中国(guó)坚(jiān)定推进(jìn)高水(shuǐ)平(píng)对外开放，只要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各(gè)国企业(yè)、各(gè)类平(píng)台(tái)产品(pǐn)服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基础(chǔ)设施供应链安全，防范(fàn)产品问题隐患造成(chéng)网络安全风险，维护国家安全(quán)，依(yī)据(jù)《中华人(rén)民共和国国家(jiā)安(ān)全法》《中华人民共和国网络(luò)安全法》，网络安全审查(chá)办公室(shì)按照《网络安全(quán)审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品实(shí)施网络(luò)安全审查。

　　美(měi)光是美国(guó)的存储(chǔ)芯片行业(yè)龙头(tóu)，也(yě)是(shì)全球存储(chǔ)芯(xīn)片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国市(shì)场收(shōu)入(rù)从(cóng)此前高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(复活的作者是谁，复活的作者是谁sān)星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维存储(chǔ)等(děng)公司披露过美光等国际存储厂(chǎng)商为公司(sī)供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已经显著下降(jiàng)，至少已经(jīng)不是(shì)主要大(dà)供(gōng)应商。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年(nián)美光位(wèi)列江波(bō)龙第一大存(cún)储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二(èr)大和第(dì)三大供应商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在(zài)存储产业链上下游(yóu)建(jiàn)立国(guó)内外(wài)广泛合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示(shì)，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数(shù)据等主要存储晶圆原厂签署了(le)长期合约，确保存储晶(jīng)圆(yuán)供应(yīng)的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市场(chǎng)的(de)供应优势，公司(sī)也与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保持良(liáng)好的合(hé)作。

　　有券商此前就(jiù)分(fēn)析，如果美光(guāng)在(zài)中(zhōng)国区销售受到限制，或将导致下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备(bèi)厂(chǎng)或从中受益。存储(chǔ)器的(de)生产(chǎn)已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最(zuì)大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工(gōng)艺步骤，同时(shí)刻蚀(shí)目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的(de)孔或(huò)者沟槽，催(cuī)生更(gèng)多设备(bèi)需求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本(běn)开支合(hé)计为75％。自长(zhǎng)江存储被(bèi)加(jiā)入美国限(xiàn)制名单，设(shè)备(bèi)国(guó)产化(huà)进程加速，看(kàn)好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积(jī)）等(děng)相关公(gōng)司(sī)份额提升(shēng)，以及存(cún)储业务占(zhàn)比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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