大家好，来看一则突(tū)发(fā)消息。

　　美光公(gōng)司在华销售的产品未(wèi)通过网络安(ān)全(q隶书蚕头燕尾一波三折图解，蚕头燕尾一波三折是什么书体uán)审查(chá)

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安全审查办(bàn)公室依法(fǎ)对美(měi)光公(gōng)司在(zà隶书蚕头燕尾一波三折图解，蚕头燕尾一波三折是什么书体i)华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存在较严重(zhòng)网络安(ān)全问题隐(yǐn)患，对(duì)我国(guó)关(guān)键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施供应链造成重大安全风(fēng)险，影响我国国家安全。为此，网络安(ān)全审(shěn)查办公(gōng)室依法作出不予通过网络安全(quán)审查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法规，我国内关键信(xìn)息基础设施(shī)的运(yùn)营者应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此次对(duì)美光公司(sī)产(chǎn)品进行网络安全(quán)审查，目的(de)是防范产品网络(luò)安全问题危害国家关键(jiàn)信息基础设(shè)施(shī)安全，是维护(hù)国(guó)家安全的必要措施。中国坚定推进高水平(píng)对(duì)外开放，只要遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢(huān)迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网信网(wǎng)发文称，为保障(zhàng)关键信(xìn)息基础设(shè)施供应链安(ān)全，防范产品问题隐患造(zào)成网(wǎng)络安全(quán)风险(xiǎn)，维(wéi)护国(guó)家安全(quán)，依据《中华人民共和国(guó)国家(jiā)安全法(fǎ)》《中华人民共(gòng)和国网络安全法》，网络安(ān)全审查(chá)办公室(shì)按照《网络安全审查办(bàn)法》，对美(měi)光公司（Micron）在(zài)华销售(shòu)的(de)产品实施网络安全审查。

　　美(měi)光是美国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市场收入(rù)从此前高(gāo)峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公司披露过(guò)美光等国(guó)际存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著(zhù)下降，至(zhì)少(shǎo)已经不是主(zhǔ)要大(dà)供应商(shāng)。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美光位(wèi)列江(jiāng)波龙第(dì)一(yī)大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一(yī)大、第二大和(hé)第三(sān)大供应(yīng)商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产业(yè)链上下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美(měi)光、西部数据等(děng)主要(yào)存储晶圆原(yuán)厂签(qiān)署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市(shì)场的供(gōng)应优势，公司也与国内国产存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果(guǒ)美光在中国(guó)区销(xiāo)售(shòu)受到(dào)限制，或(huò)将导(dǎo)致下游客户转而采购(gòu)国外(wài)三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对(duì)产品

　　分(fēn)析(xī)称，长存、长鑫(xīn)的上游设(shè)备厂或从中受益。存储器的生(shēng)产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的(de)结构(gòu)转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔(kǒng)，未来可能会(huì)更(gèng)深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需求(qiú)。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长江存(cún)储(chǔ)被加入美(měi)国限制(zhì)名(míng)单，设(shè)备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科(kē)技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额提升，以及存储业务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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