大家好，来看一则突发消(xiāo)息(xī)。

　　美光公(gōng)司在华(huá)销售的产品未通(tōng)过网络安全审查(chá)

　　据网信(xìn)办(bàn)消息，日前，网络(luò)安全审查办公室依法(fǎ)对美光公司在华销售产品进行(xíng)了网络(luò)安(ān)全审查。

　　审查(chá)发(fā)现，美光公(gōng)司产品存在(zài)较严重网络安(ān)全(quán)问(wèn)题隐(yǐn)患，对我国关键信息(xī)基(jī)础设施供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安(ān)全审查(chá)办公室依法作中国在外国人眼里是强国吗，中国在外国人眼里强大吗(zuò)出不予通过网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查的(de)结论。按照《网络(luò)安(ān)全法(fǎ)》等法律法规，我(wǒ)国内关键信息基础(chǔ)设施的(de)运营(yíng)者应停止采(cǎi)购美光公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对美光公司(sī)产品(pǐn)进行网络安全(quán)审(shěn)查，目的是防范产品(pǐn)网络安全问题危(wēi)害国(guó)家(jiā)关(guān)键信息基础设施安全，是(shì)维护(hù)国家安(ān)全的必(bì)要措施。中国坚定推进高(gāo)水平对外(wài)开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平中国在外国人眼里是强国吗，中国在外国人眼里强大吗(píng)台(tái)产品服务(wù)进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为(wèi)保障关(guān)键信息基础设施(shī)供应链安全，防范产品(pǐn)问题(tí)隐患造成(chéng)网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国(guó)家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全(quán)法》，网络(luò)安(ān)全审(shěn)查办(bàn)公室按照《网络(luò)安全审查(chá)办(bàn)法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　美(měi)光是美(měi)国的存储芯片行业龙头，也是(shì)全球存储(chǔ)芯片(piàn)巨头之(zhī)一(yī)，2022年(nián)收(shōu)入来自中(zhōng)国市场收(shōu)入(rù)从此前高峰(fēng)57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数(shù)据(jù)、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露过美光(guāng)等国际(jì)存储厂商为(wèi)公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已(yǐ)经显(xiǎn)著下降，至少已(yǐ)经不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波(bō)龙第一大存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三(sān)大供应商采(cǎi)购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在(zài)存(cún)储产业链(liàn)上(shàng)下游建立国(guó)内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显(xiǎn)示(shì)，江波龙与三星、美光、西(xī)部(bù)数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了(le)长期(qī)合约，确保存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公司在下游市场的(de)供应(yīng)优(yōu)势，公司也与国内国产(chǎn)存储晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存(cún)储、合(hé)肥(féi)长鑫保持(chí)良好(hǎo)的(de)合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美(měi)光在中国区销售受(shòu)到(dào)限制，或将导致下游客户(hù)转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的(de)上游设备厂或从中国在外国人眼里是强国吗，中国在外国人眼里强大吗中(zhōng)受益。存储器的(de)生产(chǎn)已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进(jìn)入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到(dào)3维的(de)结(jié)构(gòu)转变使刻蚀和(hé)薄膜(mó)成为最(zuì)关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未(wèi)来可能(néng)会(huì)更深(shēn)的(de)孔(kǒng)或者(zhě)沟槽(cáo)，催(cuī)生更多设备(bèi)需求。据(jù)东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计(jì)为75％。自(zì)长江存储被加入美(měi)国限制名单，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓荆(jīng)科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清(qīng)洗）等收入增长。

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