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　　美光公司在华销(xiāo)售的产品(pǐn)未通(tōng)过网1lb等于多少斤kg，10lb等于多少斤络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安(ān)全审查(chá)办公(gōng)室(shì)依(yī)法(fǎ)对美(měi)光公(gōng)司在华销售产(chǎn)品进行了(le)网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光公(gōng)司产品存在较严重网络安全问(wèn)题隐患，对我国关键信(xìn)息基础设(shè)施供(gōng)应链造成重大安(ān)全风险，影响我(wǒ)国国家安(ān)全(quán)。为此，网络(luò)安全(quán)审查办公室依法作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国(guó)内关键信息(xī)基(jī)础设施的(de)运(yùn)营者应停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行网络安(ān)全审查，目的是防范(fàn)产品网络安全问题危害国家关键信息基础设施安(ān)全，是维护国(guó)家安全(quán)的必要(yào)措施。中国(guó)坚(jiān)定推进高水平对外开放(fàng)，只(zhǐ)要遵(zūn)守中国(guó)法律法规要求，欢迎各(gè)国企(qǐ)业、各类平台(tái)产品(pǐn)服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月(yuè)31日，中国(guó)网信网(wǎng)发(fā)文称(chēng)，为保障关键信息基础设(shè)施供应链安全(quán)，防范产品问(wèn)题(tí)隐患(huàn)造成网络安全风险(xiǎn)，维护国家安(ān)全，依据(jù)《中(zhōng)华人民共和国国家安全法》《中华人民共(gòng)和国网络(luò)安(ān)全法》，网络(luò)安全(quán)审查(chá)办公室按照(zhào)《网络安全审(shěn)查办法》，对美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络安全(quán)审查。

　　美(měi)光(guāng)是美国(guó)的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中国市(shì)场收(shōu)入(rù)从此前(qián)高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波(bō)龙、佰维存(cún)储等(děng)公司(sī)披露过美光等国际存储厂商为公(gōng)司(sī)供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已经显著(zhù)下降，至少已经不是主要大(dà)供应商(shāng)。

　　公(gōng)告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大存储晶(jīng)圆供应商(shāng)，采购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波(bō)龙已经(jīng)在存储产(chǎn)业(yè)链上下游建1lb等于多少斤kg，10lb等于多少斤(jiàn)立国内外广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西(xī)部数(shù)据等主(zhǔ)要(yào)存储晶(jīng)圆原厂签署了长(zhǎng)期(qī)合(hé)约，确保(bǎo)存储晶圆供应(yīng)的稳(wěn)定性(xìng)，巩固公司在下(xià)游(yóu)市(shì)场的(de)供(gōng)应优势，公司也与国(guó)内国(guó)产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良(liáng)好(hǎo)的合作。

　　有券(quàn)商此前就(jiù)分析，如果(guǒ)美光在中国(guó)区销售受到限制(zhì)，或将导(dǎo)致下游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益。存(cún)储器的生(shēng)产已(yǐ)经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄(báo)膜成(chéng)为最(zuì)关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需(xū)要经过薄膜(mó)沉积工艺(yì)步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的孔或(huò)者沟(gōu)槽，催生(shēng)更多(duō)设备需求。据东京电子披露(lù)，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支(zhī)合计为75％。自长江存储被加入(rù)美国(guó)限(xiàn)制名单，设备国产化进(jìn)程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额提升(shēng)，以及存储业务占(zhàn)比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入(rù)增(zēng)长。

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