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豫n是河南哪里的车牌

豫n是河南哪里的车牌 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来(lái)看一则突发消息。

  美光(guāng)公司在华销(xiāo)售的产品(pǐn)未通过网络安全审查

  据网信办消(xiāo)息,日前(qián),网络安(ān)全审查办公(gōng)室(shì)依法(fǎ)对(duì)美光(guāng)公(gōng)司在华销售(shòu)产品进行了(le)网络安全审查(chá)。

  审查发现,美光公司(sī)产(chǎn)品存(cún)在(zài)较严重网(wǎng)络安全问题(tí)隐患,对(duì)我(wǒ)国关键(jiàn)信(xìn)息基础设施供应(yīng)链造成重大安全风险,影响我(wǒ)国国家安全。为(wèi)此,网络安全审查办公(gōng)室(shì)依法(fǎ)作出(chū)不予通过网络安(ān)全审(shěn)查的结论。按(àn)照《网络(luò)安全法(fǎ)》等法(fǎ)律法规,我国内关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设施(shī)的运营者应停(tíng)止(zhǐ)采(cǎi)购美光公司产品。

  此次对(duì)美光公司(sī)产品(pǐn)进行网络安(ān)全审查,目的是(shì)防(fáng)范产品网络安(ān)全问题危害国家(jiā)关(guān)键信(xìn)息基(jī)础豫n是河南哪里的车牌设施安全,是(shì)维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放,只要(yào)遵(zūn)守中国法律(lǜ)法规(guī)要求,欢迎各(gè)国企业、各类平台产品服务进(jìn)入(rù)中国市场。

  半导体突发!中(zhōng)国出手:停止采购!

  3月31日,中国网信网发(fā)文称,为保障关键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链安(ān)全,防范产品问题隐患造成网络(luò)安全风险(xiǎn),维护国家(jiā)安全,依据《中(zhōng)华人民共和(hé)国(guó)国家安全法》《中华(huá)人民共(gòng)和国网络安全法》,网络安(ān)全审查(chá)办公(gōng)室按照《网络安全审查办法》,对(duì)美(měi)光(guāng)公司(Micron)在华销售的产(chǎn)品实施网络安全审查。

  半导体突发!中(zhōng)国出手:停止采购!

  美光是美(měi)国的存储芯片行业龙头,也(yě)是全球存储芯片巨头之一,2022年收入(rù)来自中(zhōng)国市场收(shōu)入从此前高峰57%降至(zhì)2022年约11%。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年(nián)三星电子(zi)、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市(shì)场份额约(yuē)为 96.76%,三星电(diàn)子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光在(zài)全球 DRAM (内(nèi)存)市场(chǎng)份(fèn)额约为 94.35%。

  A股上市公司中(zhōng),江波龙、佰维存储等(děng)公司披露过美光(guāng)等国际存(cún)储厂商为(wèi)公司供应商。

  美光在江(jiāng)波(bō)龙采购占比已经显著下降(jiàng),至少已经不是主要大供应商。

  公(gōng)告显示, 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存储晶(jīng)圆(yuán)供(gōng)应商,采购约31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙(lóng)第一大(dà)、第二大(dà)和第三大供(gōng)应商采购金额(é)占(zhàn)比分别是(shì)26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经(jīng)在存(cún)储产业链(liàn)上下游建立国内外广(guǎng)泛(fàn)合作(zuò)。2022年(nián)年报显示,江波(bō)龙与(yǔ)三星、美光、西部数(shù)据(jù)等主(zhǔ)要存储晶圆(yuán)原(yuán)厂签(qiān)署了长期合约,确保存(cún)储晶圆供应的稳定(dìng)性,巩固公司在下(xià)游市场的供(gōng)应(yīng)优势,公(gōng)司也(yě)与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

  有券商此前(qián)就分析,如果(guǒ)美光在(zài)中国区销售(shòu)受到(dào)限制,或(huò)将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士,国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品

  分析称,长(zhǎng)存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代,2 维到3维的(de)结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤,同时(shí)刻蚀(shí)目前前沿要(yào)刻到 60:1的深孔,未来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽,催生更多设备需(xū)求。据东京电子披露(lù),薄膜沉积(jī)设(shè)备及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75%。自长江存(cún)储(chǔ)被加入美国限制名单(dān),设备国产化(huà)进程加速(sù),看好(hǎo)拓(tuò)荆科技(薄膜(mó)沉积)等相(xiāng)关公司份额提(tí)升,以及存储业务占比较高的华(huá)海清(qīng)科(CMP)、盛美上海(豫n是河南哪里的车牌清洗)等收(shōu)入增长。

 

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