大家好，来看一则突发消息(xī)。

　　美光公司在(zài)华销售的产(chǎn)品未通过网络安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安全审查办(bàn)公室依法对美(měi)光公司在华销售产品进行了(le)网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存(cún)在较(jiào)严重网(wǎng)络安(ān)全问题(tí)隐患，对我国关(guān)键信(xìn)息基础设施(shī)供应(yīng)链造成重大(dà)安全风险，影响我国(guó)国家安全。为此，网络安(ān)全审(shěn)查办公室(shì)依法(fǎ)作出不(bù)予通(tōng)过网络(luò)安全(quán)审(shěn)查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键信(xìn)息基础设施(shī)的(de)运营者应(yīng)停(tíng)止采购美光(guāng)公司(sī)产品。

　　此次对美(měi)光公司产(chǎn)品进(jìn)行网络安(ān)全审(shěn)查，目(mù)的(de)是防范(fàn)产品网络安(ān)全问题危害国(guó)家关键信息(xī)基(jī)础设施安全，是维护国(guó)家安全的必(bì)要措施。中国坚(jiān)定推进高水平对外开放(fàng)，只要遵(zūn)守(shǒu)中国(guó)法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品服务(wù)进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为保障关键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施供应链(liàn)安全，防范产(chǎn)品问题(tí)隐患造成网络(luò)安全风险，维护(hù)国家(jiā)安全(quán)，依据《中华(huá)人(rén)民共和国(guó)国家安全法》《中(zhōng)华人民共和(hé)国网络安(ān)全法(fǎ)》，网络安全审查(chá)办公室按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对(duì)美(měi)光公(gōng)司(sī)（Micron）在华(huá)销售的产品实施(shī)网络安全审查。

　　美光(guāng)是(shì)美国的(de)存储芯(xīn)片行业龙头，也是全(quán)球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自中国市场收入从此(cǐ)前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数(shù)据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三(sān)星(x函数奇偶性加减乘除判定口诀，指数函数奇偶性的判断口诀īng)电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市函数奇偶性加减乘除判定口诀，指数函数奇偶性的判断口诀公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公(gōng)司披露过美光等国际存储厂商为公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已(yǐ)经(jīng)显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已(yǐ)经不(bù)是主(zhǔ)要大(dà)供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙(lóng)第(dì)一大存储(chǔ)晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第(dì)一大、第(dì)二(èr)大和第(dì)三大供应商(shāng)采购金(jīn)额占(zhàn)比分别是26.28％函数奇偶性加减乘除判定口诀，指数函数奇偶性的判断口诀、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波(bō)龙(lóng)已经在存储(chǔ)产业链上下游建(jiàn)立国(guó)内外(wài)广泛合作。2022年年报(bào)显(xiǎn)示，江波(bō)龙(lóng)与三星、美光、西(xī)部数(shù)据等主要存储晶圆原厂签署了(le)长期合约，确保(bǎo)存储晶圆(yuán)供应的(de)稳定性，巩固(gù)公司在下(xià)游市场的供应优势，公司也与国内(nèi)国(guó)产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存(cún)储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前(qián)就分析，如果美光在中国区销售受到限(xiàn)制，或将导(dǎo)致下(xià)游客户转而(ér)采(cǎi)购国外三星、 SK海力士(shì)，国(guó)内(nèi)长江(jiāng)存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的(de)上游(yóu)设备厂或(huò)从中受益。存储器的生产已(yǐ)经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变(biàn)使刻蚀(shí)和薄膜(mó)成为最关键、最大量(liàng)的(de)加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积工(gōng)艺(yì)步骤，同时刻(kè)蚀目(mù)前前沿要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来可能(néng)会更深的(de)孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜(mó)沉(chén)积设备及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资(zī)本开支合计为75％。自长江存储被加入美(měi)国限(xiàn)制(zhì)名单，设备国(guó)产化进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉(chén)积(jī)）等相(xiāng)关公司份额提升，以及存储业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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