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　　美光(guāng)公司在华销售(shòu)的产品未通过网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查

　　据网信办消(xiāo)息(xī)，日前(qián)，网络安全审(shěn)查(chá)办(bàn)公(gōng)室依法对美(měi)光(guāng)公司在华(huá)销售(shòu)产品进(jìn)行了网络安全审查(chá)。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品(pǐn)存在较严重网络安全问(wèn)题隐(yǐn)患，对我国关(guān)键信息(xī)基础(chǔ)设施供应链造成(chéng)重大安(ān)全(quán)风(fēng)险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依(yī)法作出不予通过(guò)网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我(wǒ)国内关键信(xìn)息(xī)基础设施的运营(yíng)者应停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美(měi)光(guāng)公司(sī)产品(pǐn)进行网络安(ān)全审查，目的是防范产品网络安(ān)全(quán)问题危害国家关键(jiàn)信息基础设施安全(quán)，是(shì)维护(hù)国家安全的必要措施(shī)。中国坚定推进(jìn)高水平对外(wài)开放，只要遵(zūn)守中国(guó)法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类(lèi)平台产品(pǐn)服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保障(zhàng)关(guān)键信(xìn)息基础设(shè)施(shī)供应链安全，防范产(chǎn)品问题隐(yǐn)患造(zào)成网(wǎng)络安全风险(xiǎn)，维护国家(jiā)安全，依据《中华人(rén)民(mín)共(gòng)和(hé)国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全法》，网络(luò)安全审查办公室(shì)按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络安(ān)全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自中(zhōng)国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据市(shì)场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子(zi)、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等(děng)公司披露过美光等(děng)国(guó)际存储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已经显著下(xià)降，至少(shǎo)已经不(bù)是主要(yào)大供应(yīng)商。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第(dì)二大和第三(sān)大供应(yīng)商采购(gòu)金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在(zài)存储产(chǎn)业链上下游建(jiàn)立国内(nèi)外广泛(fàn)合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部(bù)数据等主要存储晶(jīng)圆(yuán)原厂(chǎng)签署了长(zhǎng)期(qī)合(hé)约，确保存(cún)储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司在(zài)下(xià)游市场的供应优势，公司也(yě)与国(guó)内(nèi)国产存储晶(拉斯维加斯在美国的哪个地方 拉斯维加斯是沙漠城市吗jīng)圆(yuán)原厂武汉长江存(cún)储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有(yǒu)券商此前(qián)就分析，如(rú)果(guǒ)美(měi)光在(zài)中国(guó)区销售受到限制，或将导致(zhì)下游客户转而(ér)采购国外(wài)三星、 SK海力(lì)士，国(guó)内(nèi)长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受益。存(cún)储器的生产(chǎn)已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔或者(zhě)沟槽，催生(shēng)更(gèng)多设备需(xū)求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉(chén)积(jī)设(shè)备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入(rù)美国(guó)限制(zhì)名单(dān)，设备国(guó)产化进程(chéng)加速，看好拓荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份(fèn)额提升(shēng)，以及存储(chǔ拉斯维加斯在美国的哪个地方 拉斯维加斯是沙漠城市吗)业务占比(bǐ)较高(gāo)的华(huá)海清科（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清洗）等收(shōu)入增长(zhǎng)。

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