大(dà)家好，来看一则(zé)突发消息。

　　美光公(gōng)司在华销售的产(chǎn)品未通过网络安全审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公室依法对美光公司在华(huá)销售产品(pǐn)进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光(guāng)公司产(chǎn)品(pǐn)存(cún)在较严重(zhòng)网络安全问题隐(yǐn)患，对我国关(guān)键信息(xī)基础设施供(gōng)应链造成重大安全(quán)风险，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网络安全审(shěn)查办(bàn)公(gōng)室依法(fǎ)作出不予通(tōng)过网(wǎng)络安全审查的(de)结论(lùn)。按照《网(wǎng)络安全(quán)法》等(děng)法(fǎ)律(lǜ)法规，我国(guó)内关键信息基础(chǔ)设施的运营(yíng)者应停止采(cǎi)购美光公司产品(pǐn)。首项和末项的公式是什么，小学等差数列基本的5个公式

　　此次对美光公司产品进行网络(luò)安全审查，目的是防范产品网络安全问题危(wēi)害(hài)国家(jiā)关键信息基础(chǔ)设(shè)施安全，是维护国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚(jiān)定推进(jìn)高(gāo)水平对外开放(fàng)，只要(yào)遵守中国法律(lǜ)法(fǎ)规要求，欢迎各(gè)国企(qǐ)业、各类平(píng)台产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网(wǎng)发文称，为(wèi)保(bǎo)障(zhàng)关(guān)键信息基(jī)础设施供应链(liàn)安全，防范产品问题隐患造成网(wǎng)络安全风险，维护国家(jiā)安(ān)全(quán)，依(yī)据《中华人(rén)民共(gòng)和国国家安(ān)全法》《中华(huá)人民(mín)共和国网络(luò)安全法》，网络安全审(shěn)查(chá)办公室按(àn)照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美(měi)光是美国的存(cún)储芯(xīn)片(piàn)行(xíng)业龙头(tóu)，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自中国(guó)市场(chǎng)收(shōu)入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(首项和末项的公式是什么，小学等差数列基本的5个公式xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市(shì)公司中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰(bǎi)维存(cún)储等公司披露过(guò)美(měi)光等国际存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已经显著(zhù)下降，至少(shǎo)已(yǐ)经不是(shì)主要(yào)大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大(dà)和第三(sān)大供应商采购金(jīn)额占比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产业(yè)链(liàn)上下游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数据等(děng)主要存储晶(jīng)圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确保存储晶圆供(gōng)应的(de)稳定(dìng)性(xìng)，巩固公司在(zài)下游(yóu)市场(chǎng)的(de)供应(yīng)优(yōu)势，公(gōng)司也与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保持良(liáng)好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券商(shāng)此前就分(fēn)析，如果美光在中国(guó)区销售受到限制，或将(jiāng)导致(zhì)下游客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国(guó)外(wài)三星(xīng)、 SK海力(lì)士(shì)，国内长江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的(de)上游设(shè)备厂或从中受益(yì)。存储(chǔ)器的生产已(yǐ)经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更(gèng)深的(de)孔或者沟槽，催生更多设(shè)备(bèi)需求(qiú)。据东京(jīng)电子披(pī)露，薄膜沉积设(shè)备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计(jì)为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制(zhì)名单，设备国产化进(jìn)程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额(é)提升，以(yǐ)及存储业务占比较高(gāo)的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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