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　　美光(guāng)公司在华销售的产品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据(jù)网(wǎng)信(xìn)办消息(xī)，日前，网络(luò)安(ān)全审查(chá)办公(gōng)室(shì)依法对美光公司(sī)在华销售产(chǎn)品进行了网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存在较严(yán)重网络(luò)安全问(wèn)题隐患，对我国关键(jiàn)信(xìn)息基础设施供(gōng)应(yīng)链造成重(zhòng)大(dà)安全(quán)风险，影响我国国家安(ān)全。为(wèi)此，网络安全(quán)审(shěn)查办公室依法作出不予通过网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)的结论。按照《网络安全法》等法律法规(guī)，我(wǒ)国内关(guān)键信息(xī)基础(chǔ)设施的(de)运营者(zhě)应停止采(cǎi)购美光公(gōng)司(sī)产品。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行网络安全审查(chá)，目的是防范产(chǎn)品网络(luò)安(ān)全问(wèn)题危(wēi)害国家关(guān)键信息(xī)基础设施安全，是维护国家安全的必要措(cuò)施。中国坚定推(tuī)进高水平对外(wài)开放，只要遵守中国(guó)法律法规要(yào)求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保(bǎo)障关键信息基础设(shè)施供应链安全，防范产品问题(tí)隐患造(zào)成(chéng)网络安(ān)全风险，维护(hù)国家安全，依据《中(zhōng)华(huá)人(rén)民共和国国家安全法》《中华(huá)人民共和国网络(luò)安全法(fǎ)》，网络(luò)安全(quán)审查办(bàn)公室按照《网络安全(quán)审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　美光是美(měi)国的(de)存储芯片行业龙头，也(yě)是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自中国市场收入(rù)从此(cǐ)前高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西(xī)部数(shù)据(jù)、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过(guò)美光等国际存储(chǔ)厂商为公(gōng)司(sī)供应(yīng)商。

　　美光在江波龙(lóng)采(cǎi)购占比(bǐ)已经显著下降，至少(shǎo)已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存(cún)储(chǔ)晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波(bō)龙(lóng)已经在存储产业链(liàn)上下(xià)游建(jiàn)立国内外广泛合作(zuò)。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等(děng)主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂(chǎng)签署(shǔ)了(le)长期合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公(gōng)司在下游市场(chǎng)的供应(yīng)优(yōu)势，公司(s中国允许士兵投降吗 如果打仗了警察用上吗;'>中国允许士兵投降吗 如果打仗了警察用上吗ī)也与国内(nèi)国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前(qián)就分析(xī)，如果(guǒ)美(měi)光(guāng)在中国(guó)区销售受(shòu)到限制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国(guó)外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士，国内(nèi)中国允许士兵投降吗 如果打仗了警察用上吗长(zhǎng)江存储(chǔ)、长鑫存(cún)储等竞(jìng)对(duì)产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受益。存储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经(jīng)过薄膜沉积(jī)工(gōng)艺步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设(shè)备(bèi)需求。据东京电(diàn)子披露，薄(báo)膜沉积设(shè)备及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存(cún)储被加入美国限制名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司份额提(tí)升，以(yǐ)及存储业务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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