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　　美光公司在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安全审查办公室依法对(duì)美(měi)光(guāng)公司在华销售产品进行了网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光(guāng)公(gōng)司产品存在(zài)较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基(jī)础(chǔ)设施供应链(liàn)造(zào)成重大安全风险，影响我国国家安(ān)全。为此，网络安全(quán)审(shěn)查(chá)办公室依(yī)法作出(chū)不予通过网络安全审查的结论(lùn)。按照(zhào)《网络(luò)安全法》等法律法规，我国内关(guān)键信息基(jī)础设(shè)施的运营者应停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美(měi)光(guāng)公司产品进行网络安全(quán)审查，目的是防范产品网络安全问(wèn)题(tí)危害国家关键(jiàn)信息基础设(shè)施安(ān)全，是维(wéi)护国(guó)家安全的(de)必要措(cuò)施(shī)。中国(guó)坚定(dìng)推进高水平对外开放，只要(yào)遵守中国法律法规要求(qiú)，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网(wǎng)发(fā)文称(chēng)，为(wèi)保(bǎo)障关键(jiàn)信息基础设施(身临其境是什么意思的临，身临其境是什么意思呢原意是什么ight: 24px;'>身临其境是什么意思的临，身临其境是什么意思呢原意是什么shī)供应(yīng)链(liàn)安全，防范产品问题(tí)隐患造(zào)成网(wǎng)络安全风(fēng)险，维护(hù)国家(jiā)安全，依据《中华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华人(rén)民(mín)共和(hé)国网络安全(quán)法(fǎ)》，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室按(àn)照(zhào)《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙(lóng)、佰维存(cún)储等公(gōng)司披露过美光等国(guó)际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比(bǐ)已经显著下降，至(zhì)少已(yǐ)经(jīng)不(bù)是主(zhǔ)要大供应商。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第(dì)一大存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在(zài)存储产业(yè)链上下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部(bù)数(shù)据等主要存(cún)储晶圆原厂签(qiān)署了长期合(hé)约，确保存(cún)储晶圆(yuán)供应的稳定性(xìng)，巩(gǒng)固公(gōng)司(sī)在(zài)下游市(shì)场(chǎng)的供应优势，公司也与国内(nèi)国(guó)产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的(de)合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美(měi)光在中国区销售受到限制，或将导致(zhì)下游客(kè)户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞对产(chǎn)品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受(shòu)益。存储器(qì)的(de)生产已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺(yì)。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和(hé)薄(báo)膜成(chéng)为最关(guān)键、最大量(liàng)的加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需(xū)要经(jīng)过薄(báo)膜沉积工艺步(bù)骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会(huì)更深的孔或(huò)者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国(guó)限制(zhì)名(míng)单，设备国产化进(jìn)程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜(mó)沉积）等相关(guān)公司份额提(tí)升，以及(jí)存储业(yè)务占(zhàn)比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清(qīng)洗）等收入增(zēng)长。

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