大家好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美光公(gōng)司在(zài)华销售(shòu)的产品未通过网(wǎng)络安(ān)全(quán)审(shěn)查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络(luò)安全审查办公室(shì)依法对美(měi)光公(gōng)司在华销售产品(pǐn)进行了网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产(chǎn)品存在较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基础设施供应链(liàn)造成重(zhòng)大安全风险，影响我国(guó)国家安全(quán)。为此，网络安全(quán)审查办公室依法作出(chū)不(bù)予通过(guò)网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查(chá)的结(jié)论。按照《网(wǎng)络安全法》等法(fǎ)律法规，我国(guó)内关键信息基础设施的运营者应停止采(cǎi)购美光公(gōng)司(sī)产品。

　　此次(cì)对美(měi)光公司产品进行网络安全(quán)审查，目(mù)的是防(fáng)范产品网络安全(quán)问题危害国家关(guān)键信息基础设施(shī)安(ān)全(quán)，是维护国(guó)家(jiā)安全的必要措施。中国坚(jiān)定推进高水平对(duì)外(wài)开放，只要遵守中(zhōng)国法律法规要求(qiú)，欢(huān)迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网(wǎng)发文称，为保障关(guān)键信息基础设施供应链安(ān)全，防范产品问(wèn)题隐患造成疫情转段是什么意思，中专转段是什么意思(chéng)网络安(ān)全(quán)风(fēng)险，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人(rén)民共和国国家安全法(fǎ)》《中华人(rén)民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审(shěn)查办公室(shì)按照《网络安全审(shěn)查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络(luò)安(ān)全审(shěn)查。

　　美光是美(měi)国的(de)存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存(cún)储芯(xīn)片巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收(shōu)入从(cóng)此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西(xī)部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上(疫情转段是什么意思，中专转段是什么意思shàng)市公司中(zhōng)，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美光(guāng)等国际存储(chǔ)厂商为(wèi)公司供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购(gòu)占比已(yǐ)经显著下降(jiàng)，至少已经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美(měi)光位列江波(bō)龙第一大(dà)存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第(dì)二大和第三大供应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上(shàng)下游(yóu)建立国内外(wài)广(guǎng)泛合(hé)作(zuò)。2022年年报(bào)显示，江(jiāng)波龙(lóng)与三星、美光、西部数(shù)据等主要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期(qī)合(hé)约，确保存(cún)储晶圆供应(yīng)的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市(shì)场的供(gōng)应(yīng)优势，公(gōng)司也与国(guó)内国(guó)产存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合(hé)作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美光在中国区(qū)销售受(shòu)到限制，或将(jiāng)导致下(xià)游客户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内(nèi)长(zhǎng)江存(cún)储、长鑫存储(chǔ)等竞对产(chǎn)品

　　分析称(chēng)，长存(cún)、长(zhǎng)鑫(xīn)的(de)上(shàng)游设备厂(chǎng)或从中受益(yì)。存储器的(de)生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结(jié)构(gòu)转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需(xū)要(yào)经过薄膜沉积(jī)工艺(yì)步(bù)骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未(wèi)来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被(bèi)加入(rù)美(měi)国限制名(míng)单，设备(bèi)国(guó)产化(huà)进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关(guān)公司份额(é)提升，以及存(cún)储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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