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　　美光公司在华销售的产品(pǐn)未通过网(wǎng)络安(ān)全审查

　　据(jù)网(wǎng)信(xìn)办消息，日(rì)前，网络安全审查办公室依法(fǎ)对美(měi)光公司在华销售(shòu)产品进行了网络安全审查(chá)。

　　审查(chá)发现，美光公司(sī)产(chǎn)品(pǐn)存在(zài)较(jiào)严重(zhòng)网(wǎng)络安全问(wèn)题隐患，对我国关键信息基础设(shè)施供应链造(zào)成(chéng)重大(dà)安(ān)全风险，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全审查(chá)办公(gōng)室依法作出不(bù)予通过网络安全(quán)审查的(de)结论(lùn)。按照《网络安全法》亢可以加什么偏旁变成什么字，亢这个字可以加什么偏旁等法律法规，我国内关键(jiàn)信息基础设施的运营者应(yīng)停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美光公司(sī)产(chǎn)品进行网络安全审查，目(mù)的(de)是防(fáng)范产(chǎn)品网络安(ān)全问题危害国家关键信息基础(chǔ)设(shè)施安全(quán)，是维护国(guó)家安全(quán)的必(bì)要(yào)措施。中国坚定推进高(gāo)水平对(duì)外开放，只要遵守中国法(fǎ)律法(fǎ)规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台(tái)产品服务(wù)进(jìn)入中国(guó)市(shì)场。

　　亢可以加什么偏旁变成什么字，亢这个字可以加什么偏旁"http://getimg.jrj.com.cn/images/2023/05/weixin/one_20230521204212185.png">

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为保障关键信息(xī)基础设施供应(yīng)链安全，防范产品问(wèn)题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依(yī)据(jù)《中华人民共和国国家安全法》《中华人民(mín)共和国网(wǎng)络安全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照《网络(luò)安全审(shěn)查办法(fǎ)》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安全审查。

　　美(měi)光是美国(guó)的(de)存储(chǔ)芯片(piàn)行业龙头，也是全(quán)球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入(rù)来自(zì)中国市场收入从此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市(shì)场咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美光(guāng)等国际存(cún)储(chǔ)厂商(shāng)为公(gōng)司供应商。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙(lóng)采(cǎi)购(gòu)占比已(yǐ)经显著下降(jiàng)，至少(shǎo)已经不(bù)是主要(yào)大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额(é)占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产(chǎn)业(yè)链上下游(yóu)建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年(nián)报显示(shì)，江波龙(lóng)与(yǔ)三星、美光、西部(bù)数据等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了(le)长期合约，确(què)保存储晶(jīng)圆(yuán)供应的(de)稳定性，巩固(gù)公司在下游市场(chǎng)的供应优势，公司(sī)也与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美光在(zài)中国区销售受到限制，或将(jiāng)导致(zhì)下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称(chēng)，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受(shòu)益。存(cún)储(chǔ)器的生产已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄(báo)膜(mó)成为(wèi)最关(guān)键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时(shí)刻蚀(shí)目前前沿(yán)要(yào)刻(kè)到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或(huò)者(zhě)沟(gōu)槽，催生(shēng)更多设备(bèi)需求(qiú)。据(jù)东(dōng)京电(diàn)子(zi)披露，薄膜沉(chén)积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江(jiāng)存储被(bèi)加入美国限制(zhì)名单(dān)，设备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆(jīng)科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司(sī)份(fèn)额(é)提升，以(yǐ)及存储业务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收(shōu)入(rù)增长(zhǎng)。

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