大家(jiā)好，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公司在华销(xiāo)售的产品(pǐn)未通(tōng)过网络安全审查

　　据(jù)网(wǎng)信办消息，日(rì)前，网络(luò)安全审查办公(gōng)室依(yī)法对美(měi)光公司(sī)在(zài)华销(xiāo)售产品进行了网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查(chá)。

　　审(shěn大学老师最怕什么部门举报)查发现，美光公司产(chǎn)品存在较严重网络安全问题隐(yǐn)患，对我国关键(jiàn)信息基础设施供应链造成重大(dà)安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此，网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查办公室依法作(zuò)出不予通(tōng)过网络(luò)安全(quán)审(shěn)查的结论(lùn)。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息(xī)基础设施的运营(yíng)者应停止采购美光(guāng)公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网络大学老师最怕什么部门举报安全审查，目的是防范产品(pǐn)网(wǎng)络安全问题危害国家关(guān)键信息(xī)基(jī)础设施安全，是维护国家(jiā)安全的必要(yào)措施。中国坚定推(tuī)进(jìn)高水平对外开放，只要遵(zūn)守中国法律法规(guī)要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台(tái)产(chǎn)品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信(xìn)网发文称，为保障关(guān)键信息基础设(shè)施供应链安(ān)全，防范产品问题隐患造(zào)成网络安全风险，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人民(mín)共和国国家安(ān)全(quán)法》《中华人(rén)民共和国网络安(ān)全(quán)法》，网络安全审查办公室(shì)按照《网络安(ān)全审查(chá)办法》，对(duì)美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美(měi)国的存储(chǔ)芯片行业龙(lóng)头，也是(shì)全(quán)球(qiú)存(cún)储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自中国市场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等(děng)公司披露过美光等国际存储(chǔ)厂(chǎng)商(shāng)为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占(zhàn)比已经(jīng)显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光(guāng)位列江(jiāng)波龙第(dì)一(yī)大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额(é)占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储(chǔ)产业链上下游建(jiàn)立国(guó)内外广泛合作(zuò)。2022年(nián)年报显示，江波龙与三(sān)星、美(měi)光(guāng)、西部数(shù)据等主要(yào)存储晶圆原厂(chǎng)签署(shǔ)了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司在(zài)下游市场的供应优势，公司(sī)也与国内国产(chǎn)存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)武汉(hàn)长(zhǎng)江存(cún)储(chǔ)、合(hé)肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券(quàn)商(shāng)此前(qián)就分析，如果美(měi)光在中国区销(xiāo)售受(shòu)到限(xiàn)制，或(huò)将导致(zhì)下游(yóu)客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫(xīn)的(de)上游设备厂(chǎng)或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变(biàn)使刻蚀(shí)和(hé)薄膜成为最关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉(chén)积(jī)工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会(huì)更深的(de)孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据东京(jīng)电(diàn)子披露，薄膜(mó)沉(chén)积设(shè)备(bèi)及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开支合计(jì)为75％。自长江存(c大学老师最怕什么部门举报ún)储被加入美(měi)国限制名单，设备国产化进程(chéng)加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额(é)提升(shēng)，以及存储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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