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　　美光公(gōng)司(sī)在华(huá)销售的(de)产品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室依法对美光公司在华销(xiāo)售(shòu)产品(pǐn)进行了网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品(pǐn)存(cún)在(zài)较严重(zhòng)网络安全问题隐患，对我国关键信(xìn)息基础设施供应链(liàn)造成重(zhòng)大安(ān)全风(fēng)险，影(yǐng)响(xiǎng)我国国家安全(quán)。为此，网络安(ān)全审查办(bàn)公室依法作(zuò)出不予通过网络安全审查的(de)结论。按照(zhào)《网络安(ān)全法》等法律(lǜ)法规，我国内关键信(xìn)息基础设施的运(yùn)营者应停止采购美光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次对(duì)美光公司产(chǎn)品进行网络安全审查，目的(de)是防范产(chǎn)品网络安全问题危害国家(jiā)关键(jiàn)信息基础设施安全，是维(wéi)护国(guó)家(jiā)安(ān)全的(de)必要措施。中国(guó)坚定推进高(gāo)水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢(huān)迎(yíng)各国企(qǐ)业、各类平(píng)台产品服(fú)务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称(chēng)，为保障关(guān)键信(xìn)息(xī)基(jī)础(chǔ)设施(shī)供应(yīng)链安全，防范产品问题隐患(huàn)造成网(wǎng)络安全(quán)风险，维护国家安全(quán)，依据《中华人民共和(hé)国(guó)国家安(ān)全法》《中华人民共和(hé)国(guó)网络安全法》，网络(luò)安全审查办公室按照(zhào)《网络安全(quán)审查(chá)办(bàn)法(fǎ)》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实(shí)施网络(luò)安全(quán)审查。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是(shì)全球存储(chǔ)芯(xīn)片巨头之一，2022年收入(rù)来自(zì)中国市(shì)场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部数(shù)据、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在(zài)江波龙(lóng)采购占比已经显著下降，至少已经不是主(zhǔ)要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江(jiāng)波(bō)龙第一大存(cún)储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第(dì)二大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已(yǐ)经在存(cún)储产业(yè)链上(shàng)下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三(sān)星、美光、西部数据等(děng)主(zhǔ)要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期(qī)合约，确保存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固(gù)公司在下游市场的供应(yīng)优势，公司也与国内(nèi)国产(chǎn)存储晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉长江(jiāng)存(cún)储、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分(fēn)析，如果美光(guāng)在中国(guó)区销售受到(dào)限制，或将导致(zhì)下(xià)游客户转(zhuǎn)而(ér)采购国外三星、 SK海力(lì)士(shì)，国(guó)内长江存储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中受益(yì)。存储器(qì)的生(shēng)产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的结未置可否和不置可否的区别在哪，未置可否的置是什么意思构转(zhuǎn)变使刻蚀(shí)和薄(báo)膜成为最关键、最(zuì)大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺(yì)步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催(cuī)生(shēng)更多设备(bèi)需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计(jì)为(wèi)75％。自长江(jiāng)存储被加入美(měi)国(guó)限(xiàn)制名(míng)单，设备国产化进程加速，看(kàn)好(hǎo)拓(tuò)荆科技(jì)（薄膜(mó)沉积(jī)）等(děng)相关公司份额提(tí)升(shēng)，以及存(cún)储业务占(zhàn)比较高的(de)华海清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海(hǎi)（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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