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　　美光公(gōng)司在华销售的(de)产品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据(jù)网信办消(xiāo)息，日前，网络安(ān)全审查办(bàn)公室依法对美光公司在华销售产品进(jìn)行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在较(jiào)严重(zhòng)网(wǎng)络安全问题隐患，对我(wǒ)国关键(jiàn)信息基础设(shè)施(shī)供应链造成重(zhòng)大安全风(fēng)险，影响我国(guó)国(guó)家安全。为(wèi)此，网络安全审查办公室(shì)依(yī)法作出不予通过网络安(ān)全(适合和合适的区别爱情，适合和合适的区别是什么quán)审查的(de)结论。按照《网络安全法》等(děng)法律法(fǎ)规，我国内关(guān)键信息(xī)基础设施(shī)的(de)运营者应(yīn适合和合适的区别爱情，适合和合适的区别是什么g)停止采购(gòu)美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目的是防范产(chǎn)品网络安全问题危害国家关键信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设施安(ān)全，是维护国家安全(quán)的必要措(cuò)施。中国坚定推进高水平对(duì)外开放，只要(yào)遵守中国(guó)法律法规要(yào)求，欢迎各国企业、各类平台产品服(fú)务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称，为保障(zhàng)关键信息基础设施供(gōng)应(yīng)链(liàn)安全，防(fáng)范产品(pǐn)问题(tí)隐患造成(chéng)网络安全风险，维护国(guó)家安全(quán)，依据(jù)《中(zhōng)华(huá)人民共和国(guó)国(guó)家安全(quán)法》《中华人民共(gòng)和国网络安全法》，网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查办公室按照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产品实施网络安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全(quán)球存储芯(xīn)片巨(jù)头之一，2022年收入来(lái)自中(zhōng)国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美光等国际存储厂商(shāng)为公(gōng)司供应商。

　　美光在江(jiāng)波(bō)龙采购占比(bǐ)已经(jīng)显著下(xià)降，至少已(yǐ)经不是主要(yào)大供应(yīng)商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存(cún)储晶圆(yuán)供应(yīng)商(shāng)，采(cǎi)购约(yuē)31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大(dà)、第二(èr)大(dà)和第(dì)三大供应(yīng)商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存(cún)储产业链上下游建立(lì)国内外广泛合(hé)作。2022年年报(bào)显示(shì)，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部(bù)数据等主要存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)签(qiān)署了长期合约，确保存储晶圆供(gōng)应(yīng)的稳定性，巩固(gù)公司在下游市场(chǎng)的(de)供应优势(shì)，公司也与国(guó)内国产存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长江存(cún)储、合肥长鑫保(bǎo)持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美光在(zài)中国区销(xiāo)售受到限(xiàn)制，或(huò)将导致下游(yóu)客(kè)户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益。存储器(qì)的生产已经(jīng)演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成(chéng)为(wèi)最关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更(gèng)多设备(bèi)需求。据东京电子披(pī)露(lù)，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存储(chǔ)被(bèi)加入美国(guó)限(xiàn)制名单，设备国产化进程(chéng)加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉(chén)积）等相关公(gōng)司份额提升，以及存储业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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