大家好，来看(kàn)一则突发(fā)消息。

　　美光公司在华销售的产品未(wèi)通(tōng)过网(wǎng)络安(ān)全审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全审查(chá)办公室依法对美光公司在华销售(shòu)产品进(jìn)行了(le)网络安全审查(chá)。

　　审(shěn)查(chá)发(fā)现，美光(guāng)公(gōng)司产品存在较严重网络(luò)安全(quán)问题隐患，对我国(guó)关键信息(xī)基础设施(shī)供(gōng)应链造成重大安全(quán)风险，影响(xiǎng)我国(guó)国家安全。为(wèi)此(cǐ)，网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查办公室依法(fǎ)作出(chū)不予通过网络安全审查的结论中国允许士兵投降吗 如果打仗了警察用上吗。按(àn)照(zhào)《网络安全法》等法律(lǜ)法(fǎ)规，我国内关键信息(xī)基础设(shè)施(shī)的运营者(zhě)应停止采(cǎi)购美光公司(sī)产品。

　　此次对(duì)美(měi)光公司产品(pǐn)进行网络安全审(shěn)查中国允许士兵投降吗 如果打仗了警察用上吗，目的是(shì)防范(fàn)产品(pǐn)网络安全问题危害国家关键(jiàn)信息基础设施安全，是维护国家安(ān)全的必要措施。中国坚定推进高水平(píng)对外开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规(guī)要求，欢(huān)迎各国企业、各类(lèi)平台产(chǎn)品(pǐn)服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网信网发(fā)文称，为保障关(guān)键信(xìn)息基础设施供(gōng)应链(liàn)安全，防范产品问(wèn)题隐(yǐn)患造成网(wǎng)络安(ān)全风险，维(wéi)护国(guó)家安(ān)全(quán)，依据《中华人民共和国国家(jiā)安全法》《中华(huá)人民共和国网络(luò)安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对(duì)美(měi)光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查。

　　美(měi)光是(shì)美国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自中国市场收(shōu)入从此前(qián)高(gāo)峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江(ji中国允许士兵投降吗 如果打仗了警察用上吗āng)波龙、佰维存(cún)储等公司披(pī)露过美光等国际(jì)存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美(měi)光(guāng)在江(jiāng)波龙采购(gòu)占比(bǐ)已(yǐ)经显著下(xià)降(jiàng)，至少已经不是主(zhǔ)要大供(gōng)应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙(lóng)第一大存(cún)储晶圆供应商，采(cǎi)购(gòu)约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一大、第二大和第三大供应商采(cǎi)购(gòu)金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存(cún)储产业链上下游建立国内外(wài)广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与三星、美(měi)光、西部数(shù)据等主要存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂签署(shǔ)了长期合约(yuē)，确保存(cún)储晶圆供(gōng)应(yīng)的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也(yě)与国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江(jiāng)存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良(liáng)好(hǎo)的(de)合作。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前就分(fēn)析，如果美光(guāng)在中国区销售受到(dào)限制，或将导致下游客(kè)户(hù)转而(ér)采(cǎi)购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已(yǐ)经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的(de)结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜(mó)成为最关键(jiàn)、最大量的加(jiā)工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺(yì)步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或(huò)者(zhě)沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据(jù)东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产线资(zī)本(běn)开支合计(jì)为75％。自长江存(cún)储(chǔ)被加入(rù)美国限制(zhì)名单，设备(bèi)国产化进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公(gōng)司份(fèn)额(é)提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入(rù)增长。

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