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　　美光公(gōng)司在华(huá)销(xiāo)售的产品未通(tōng)过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安(ān)全审查办公室(shì)依法对美光公司在华销售产品进行(xíng)了(le)网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美(měi)光(guāng)公司(sī)产品存(cún)在较严重网络(luò)安全(quán)问题隐患，对我国关键信(xìn)息基础设施供(gōng)应链造成重大安全风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家(jiā)安全。为此，网络安全审查办公室依法作(zuò)出不予通过网(wǎng)络安全(quán)审查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设(shè)施的运营者应停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对(duì)美光公司产品进行(xíng)网络安全审查，目的(de)是防(fáng)范产品网(wǎng)络安全问题危(wēi)害(hài)国家关(guān)键信息基(jī)础设(shè)施安全，是(shì)维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水冰箱1到5哪个最冷，冰箱1最冷还是5最冷(shuǐ)平对外开放(fàng)，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国(guó)企业(yè)、各类平台产品服务进入中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网(wǎng)发文称，为保障(zhàng)关键信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链安(ān)全，防范产品(pǐn)问题隐患(huàn)造成网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人(rén)民共和国国(guó)家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查(chá)办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络(luò)安全(quán)审(shěn)查。

　　美(měi)光(guāng)是美国的存储芯片(piàn)行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年(nián)收(shōu)入来(lái)自中国市(shì)场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨(zī)询机冰箱1到5哪个最冷，冰箱1最冷还是5最冷构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司(sī)中，江波龙(lóng)、佰维存(cún)储(chǔ)等(děng)公司披露过美(měi)光等国际存储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比(bǐ)已经显著下降，至少已经不是主要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美(měi)光位(wèi)列江波龙(lóng)第一大存(cún)储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三大供应商(shāng)采购金(jīn)额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波(bō)龙(lóng)已(yǐ)经在(zài)存储产(chǎn)业链上(shàng)下游建立国内外广泛合作。2022年(nián)年(nián)报显示(shì)，江波龙与三(sān)星、美光、西(xī)部(bù)数(shù)据等主要(yào)存储晶圆原厂签署了(le)长(zhǎng)期合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固(gù)公司在(zài)下(xià)游(yóu)市场(chǎng)的供应优势，公司也与(yǔ)国内(nèi)国(guó)产存储晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合(hé)肥长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分(fēn)析，如果(guǒ)美光(guāng)在中国(guó)区销(xiāo)售受到限制(zhì)，或将导致下游客户转而(ér)采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国(guó)内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游(yóu)设备厂或(huò)从中受(shòu)益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀(shí)和薄膜成为(wèi)最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需(xū)要(yào)经过(guò)薄膜(mó)沉积(jī)工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻(kè)蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更(gèng)深的(de)孔或(huò)者沟槽，催生更多设(shè)备需(xū)求(qiú)。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支(zhī)合计(jì)为75％。自长江存储(chǔ)被(bèi)加入美国(guó)限制名单，设备国产化(huà)进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额提升(shēng)，以(yǐ)及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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