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　　美光(guāng)公司在(zài)华销售(shòu)的产品未通过网络安全审查

　　据(jù)网信办消息(xī)，日前，网络安全审查办公室依(yī)法对美光公司在(zài)华销售产品进行了网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公(gōng)司产(chǎn)品存(cún)在较严重网络(luò)安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应链造(zào)成重大安全风(fēng)险，影响(xiǎng)我国国家安全(quán)。为(wèi)此，网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)审查办公室(shì)依法作出(chū)不予通过网络(luò)安全审查的结(jié)论。按照(zhào)《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我国内关(guān)键(jiàn)信息(xī)基础设施(shī)的运营者应(yīng)停止采(cǎi)购(gòu)美(měi)光公司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网(wǎng)络安全审查，目(mù)的是防范产(chǎn)品(pǐn)网络安全问(wèn)题危害国家关键信息基础设施安全，是(shì)维护(hù)国家安(ān)全(quán)的必(bì)要措施。中国坚定推(tuī)进高水平对(duì)外(wài)开(kāi)放，只要遵(zūn)守中国法(fǎ)律法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产品服(fú)务(wù)进入中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为保障关键信息基(jī)础设施供应(yīng)链安全，防(fáng)范产品问(wèn)题隐患造(zào)成网络安全(quán)风险，维护(hù)国(guó)家安全，依(yī)据《中华人民共和(hé)国国家安全法》《中华人民共和国(guó)网络安全(quán)法》，网络安(ān)全审查办公室按(àn)照《网络安全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在(zài)华销售的产品(pǐn)实施网络安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯(xīn)片行业龙头，也是全(quán)球(qiú)存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自中国市场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场(chǎng)咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司(sī)中，江波龙、佰维(wéi)存(cún)储等公司披露(lù)过美光等国际存储(chǔ)厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购(gòu)占比已经显(xiǎn)著(zhù)下降，至少已(yǐ)经不是主要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第(dì)一大(dà)存储(chǔ)晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大(dà)和(hé)第三(sān)大供应商采购金额(é)占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在(zài)存储(chǔ)产(chǎn)业链上下(xià)游(yóu)建立国内(nèi)外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波(bō)龙与三星、美(měi)光、西(xī)部数据等主要存(cún)储晶圆原厂签署了(le)长期合约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固(gù)公司在(zài)下游市(shì)场的供(gōng)应优(yōu)势(shì)，公(gōng)司也与国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商(shāng)此前(qián)就(jiù)分析，如果(guǒ)美光在中国(guó)区销售(shòu)受(shòu)到(dào)限制，或将导致下游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储(chǔ)等(děng)竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的(de)上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储(chǔ)器(qì)的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现在(zài)已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的(de)结(jié)构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为(wèi)最关键(jiàn)、最大量(liàng)的(de)加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未(wèi)来(lái)可能(néng)会更深的(de)孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支(zhī)合(hé)计为(wèi)75％。自长江存(cún)储被加入美(měi)国限制名(路由器有使用年限吗míng)单，设备国(guó)产(chǎn)化进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄(báo)膜沉积）等相(xiāng)关公司(sī)份额提升，以及存储业(yè)务占(zhàn)比较高的(de)华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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