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　　美光公司(sī)在华销售(shòu)的产品未通过(guò)网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络安全审查(chá)办公(gōng)室依法对美光公(gōng)司在华销售产品(pǐn)进(jìn)行了网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较(jiào)严重网络安(ān)全问(wèn)题隐(yǐn)患，对我国关键信(xìn)息基础设施供(gōng)应链造成重(zhòng)大安全风险，影(yǐng)响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全审查办公(gōng)室(shì)依法作出不予通(tōng)过网(wǎng)络(luò)安(ān)全审(shěn)查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法律(lǜ)法(fǎ)规，我国内(nèi)关键信息基础设(shè)施的运营(yíng)者应停止(zhǐ)采购(gòu)美光公(gōng)司产品。

　　此次(cì)对美光公司(sī)产(chǎn)品进行网络安全(quán)审(shěn)查，目的是防(fá吴亦凡真的在牢里吗，吴亦凡为什么被关进牢里ng)范产(chǎn)品(pǐn)网(wǎng)络(luò)安全问题危害国家关(guān)键信息基础设施安(ān)全，是(shì)维护国家安全的必要(yào)措施(shī)。中(zhōng)国坚定推进高(gāo)水平对外(wài)开(kāi)放，只要(yào)遵守中国法律法规要求，欢迎各国(guó)企业(yè)、各类平台产品服(fú)务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为(wèi)保障关键信息(xī)基础设施供应链安(ān)全，防范产(chǎn)品问(wèn)题(tí)隐患造成(chéng)网(wǎng)络(luò)安全风险，维护国家安(ān)全(quán)，依(yī)据《中华人民共和国(guó)国家安全法》《中华人民共和国网络(luò)安全(quán)法》，网络安全审查办公室按(àn)照《网络吴亦凡真的在牢里吗，吴亦凡为什么被关进牢里安全(quán)审(shěn)查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的产品(pǐn)实施(shī)网络安(ān)全(quán)审查。

　　美光是美国(guó)的存(cún)储芯片行(xíng)业龙头，也(yě)是全球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市场收入从此前高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市场咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过(guò)美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已经显著下降，至少已经(jīng)不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大(dà)存(cún)储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和(hé)第三大供应商采购金额占(zhàn)比分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与(yǔ)三星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合(hé)约，确保存(cún)储晶圆(yuán)供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应优(yōu)势，公(gōng)司(sī)也(yě)与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武(wǔ)汉(hàn)长(zhǎng)江存(cún)储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美光在中国区销售受到限制，或(huò)将导致下(xià)游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存(cún)、长鑫(xīn)的(de)上(shàng)游设(shè)备厂(chǎng)或从(cóng)中受益。存(cún)储(chǔ)器(qì)的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄(báo)膜(mó)成(chéng)为最(zuì)关(guān)键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过(guò)薄(báo)膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的(de)孔或者沟槽，催(cuī)生更(gèng)多设备(bèi)需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开支合计为75％。自长江存储被加(jiā)入美(měi)国(guó)限制名单，设备(bèi)国产化进程加(jiā)速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄膜(mó)沉积(jī)）等相关公司份额提(tí)升(shēng)，以及存储业(yè)务(wù)占比较高的华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等收入(rù)增长。

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