大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销(xiāo)售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安全审查办公室依法对美(měi)光公司在华(huá)销售产品(pǐn)进(jìn)行了(le)网络安全审(shěn)查。

　　审查耳朵旁的字有哪些字，带右耳朵旁的字有哪些发现，美光(guāng)公司产品存(cún)在较严(yán)重(zhòng)网络安(ān)全问题隐患，对我国(guó)关(guān)键信(xìn)息基础设施供应链(liàn)造成重大安全风险，影响我(wǒ)国(guó)国家安全。为此，网络安全审查办(bàn)公室(shì)依法(fǎ)作出不予通(tōng)过网络安(ān)全审查(chá)的结论。按照(zhào)《网(wǎng)络安全法》等(děng)法律法(fǎ)规，我国(guó)内关键信息(xī)基础设(shè)施(shī)的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对(duì)美光公司产品进行网(wǎng)络安全审查，目的是防范产品网络安全问题危害国家关键信息基础设施安全，是维护国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进(jìn)高水(shuǐ)平对外(wài)开放(fàng)，只要遵守(shǒu)中国(guó)法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业(yè)、各类(lèi)平台产品服务(wù)进入中国(guó)市(shì)场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称(chēng)，为(wèi)保障关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础设施(shī)供应链安全，防(fáng)范产品问题隐患造成网络(luò)安全(quán)风(fēng)险，维护国家(jiā)安全(quán)，依据《中(zhōng)华人民共和国国(guó)家安全法(fǎ)》《中(zhōng)华(huá)人民共和国网络安(ān)全法》，网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查办公室(shì)按照《网(wǎng)络安全(quán)审查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品(pǐn)实(shí)施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国的(de)存(cún)储芯片行业龙(lóng)头，也(yě)是全球存储芯(xīn)片(piàn)巨头之(zhī)一(yī)，2022年(nián)收入(rù)来自中国市场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市(shì)场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存耳朵旁的字有哪些字，带右耳朵旁的字有哪些）市场(chǎng)份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司(sī)披露(lù)过(guò)美(měi)光等国际存储(chǔ)厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经(jīng)显著(zhù)下降，至少已经(jīng)不是主要大供(gōng)应商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大存储(chǔ)晶圆(yuán)供(gōng)应(yīng)商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第(dì)三(sān)大供应商采购(gòu)金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙(lóng)已经在(zài)存储产(chǎn)业链上下(xià)游(yóu)建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星(xīng)、美光、西部数据(jù)等主要存(cún)储晶(jīng)圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固(gù)公司(sī)在(zài)下游(yóu)市场的(de)供应优势，公司也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好(hǎo)的合(hé)作。

　　有券商此前(qián)就分析，如(rú)果美光在中国区销(xiāo)售受到限制，或将导致下(xià)游客户转而采(cǎi)购国外三(sān)星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上游(yóu)设(shè)备厂(chǎng)或从中受益。存储器(qì)的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使(shǐ)刻(kè)蚀(shí)和薄膜(mó)成为最(zuì)关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前(qián)前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来(lái)可(kě)能会更深的(de)孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备需(xū)求。据东京(jīng)电子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入(rù)美国(guó)限制名单，设备国产(chǎn)化进程加(jiā)速(sù)，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉(chén)积）等相关(guān)公司份额提(tí)升，以及存(cún)储业(yè)务占比(bǐ)较高的华(huá)海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等收(shōu)入增长。

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