大家(jiā)好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公司在华(huá)销售(shòu)的产品(pǐn)未通过网络安全审查(chá)

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安(ān)全审查办公室依法(fǎ)对美光公(gōng)司在华(huá)销(xiāo)售产(chǎn)品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存在较严重网络安全问题(tí)隐(yǐn)患，对我国关键信(xìn)息基础(chǔ)设施(shī)供应链(liàn)造成重大安(ān)全(quán)风险(xiǎn)，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依(yī)法作(zuò)出(chū)不予(yǔ)通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法(fǎ)律法(fǎ)规，我国内关键(jiàn)信息基(jī)础设施(shī)的运营者(zhě)应停(tíng)止(zhǐ)采购美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公司(sī)产(chǎn)品进行(xíng)网(wǎng)络安全(quán)审查，目的是防范产(chǎn)品(pǐn)网络(luò)安全(quán)问题(tí)危害国家关键信息(xī)基础设施安全(quán)，是维(w传颂和传诵是什么意思区别，传颂和传诵的意思éi)护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对(duì)外(wài)开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类(lèi)平台产品服(fú)务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称(chēng)，为保障关键信息基(jī)础(chǔ)设施供应链安全(quán)，防范产品问题(tí)隐患造(zào)成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民(mín)共和国国家安(ān)全法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共(gòng)和国网(wǎng)络安全(quán)法》，网络安(ān)全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯(xīn)片行业龙(lóng)头，也(yě)是全球(qiú)存储芯(xīn)片(piàn)巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力(lì)士(shì)、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙(lóng)、佰维存(cún)储等公司(sī)披露过美光等国际存储(chǔ)厂商为(wèi)公司(sī)供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采(cǎi)购(gòu)占比已经显(xiǎn)著下降，至少已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光(guāng)位列江波龙第一大存(cún)储晶圆供(gōng)应商，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江(传颂和传诵是什么意思区别，传颂和传诵的意思jiāng)波(bō)龙第一大(dà)、第二(èr)大和第三(sān)大供应(yīng)商采(cǎi)购(gòu)金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已(yǐ)经(jīng)在存储产业链上下游建(jiàn)立国内(nèi)外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部(bù)数(shù)据等主要(yào)存(cún)储晶圆原厂签署了(le)长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在下游(yóu)市场的供应优(yōu)势，公(gōng)司也与国内国(guó)产存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良(liáng)好的合作(zuò)。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果(guǒ)美光在中国区销售受到限制，或将导致下游客户转而采购(gòu)国外三(sān)星、 SK海力士，国(guó)内(nèi)长(zhǎng)江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益。存(cún)储器的生产已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入3D NAND时(shí)代，2 维到(dào)3维的(de)结(jié)构(gòu)转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过(guò)薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催(cuī)生更(gèng)多设(shè)备需求。据东京电子(zi)披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存储被加(jiā)入(rù)美国限制名单(dān)，设备国产化进程(chéng)加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相(xiāng)关公司份额提升，以及存储(chǔ)业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清(qīng)洗）等收入(rù)增长。

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