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　　美光公司在华销(xiāo)售(shòu)的产品未通过网络安(ān)全(quán)审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安全审查(chá)办公室(shì)依法对美光公司在华销售(shòu)产品进(jìn)行了网络(luò)安全(quán)审查。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美光公司产品存在较(jiào)严(yán)重(zhòng)网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关键信(xìn)息基础(chǔ)设(shè)施供(gōng)应链造成重大(dà)安(ān)全风(fēng)险，影(yǐng)响(xiǎng)我国(guó)国家(jiā)安(ān)全。为此，网络安全审查办公室依法作(zuò)出不予通过网络(luò)安高中学费一年大概多少钱，高中学费一个学期多少钱全审查的结论。按照《网络安全(quán)法》等法律法规，我国内(nèi)关键信息基础(chǔ)设施的运营者应停止采购(gòu)美光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次对美(měi)光公司(sī)产品进行网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)，目(mù)的是防(fáng)范(fàn)产品(pǐn)网络安全(quán)问题危(wēi)害国家关键信息(xī)基础设施安全，是维护国家安全的(de)必要措施。中国坚定(dìng)推进高水平(píng)对外开放，只要遵守中国法律法规(guī)要求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品服(fú)务进入中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网(wǎng)信网发文称，为(wèi)保(bǎo)障(zhàng)关键信息基础设施供应链安全，防范产(chǎn)品问题(tí)隐患造成网络安全(quán)风(fēng)险，维护(hù)国家安全(quán)，依据(jù)《中华人民共(gòng)和国国(guó)家安全法》《中(zhōng)华人民(mín)共和国(guó)网络安(ān)全法》，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室(shì)按照《网(wǎng)络安(ān)全审查办法》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在(zài)华销售的(de)产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美(měi)光是(shì)美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从(cóng)此前(qián)高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额(é)约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海力士、美光(guāng)在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公(gōng)司披(pī)露过美光(guāng)等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙(lóng)采购占比已经显著下(xià)降，至(zhì)少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位(wèi)列江波龙(lóng)第一大(dà)存储晶圆供(gōng)应商，采(cǎi)购(gòu)约(yuē)31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第三大供应商采购金额占比分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经(jīng)在存(cún)储产业链上下游建(jiàn)立国内外广泛(fàn)合作。2022年年(nián)报显示(shì)，江波龙与三(sān)星(xīng)、美光、西(xī)部数据等主要存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确(què)保存储晶圆供应(yīng)的(de)稳(wěn)定性，巩(gǒng)固公(gōng)司在(zài)下游市场的供(gōng)应优(yōu)势，公(gōng)司也与国内国产存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持(chí)良好的(de)合(hé)作。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前(qián)就分析，如果高中学费一年大概多少钱，高中学费一个学期多少钱美光在(zài)中国(guó)区销(xiāo)售(shòu)受到限制(zhì)，或将导致下游(yóu)客户转而(ér)采购国(guó)外三(sān)星、 SK海力士(shì)，国内长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的(de)上(shàng)游设备厂(chǎng)或从(cóng)中受益。存储(chǔ)器的生产已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维的结(jié)构转变使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成(chéng)为最关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积(jī)工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻(kè)到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未来可(kě)能会更深的(de)孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国(guó)限制名单(dān)，设备国产化进程加速，看好(hǎo)拓(tuò)荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提升，以及存储业务(wù)占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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