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　　美光公司在华销售的产品未(wèi)通过网络(luò)安全审查

　　据(jù)网信(xìn)办消息，日前，网络安全(quán)审查办公(gōng)室依(yī)法对美光公司(sī)在华销(xiāo)售产品(pǐn)进行了网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存在较严重网络(luò)安全问题隐患，对(duì)我国关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础设施供应(yīng)链造成重大安(ān)全(quán)风险，影响(xiǎng)我国国家安全(quán)。为此(cǐ)，网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查(chá)办(bàn)公室依法作出不予通过(guò)网络安全审查的结论。按(àn)照《网络安(ān)全法》等法(fǎ)律(lǜ)法规，我国内关键信(xìn)息基础设施的运营(yíng)自家养一只人工苏卡达违法吗，养了10年的苏卡达算犯法吗者应停止(zhǐ)采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进(jìn)行网络安全审查(chá)，目的是(shì)防范产品网络安全问题危害国家关键信(xìn)息基础设施安全，是维(wéi)护国(guó)家安全的必要(yào)措施。中国坚定(dìng)推进高水平对外开放，只要遵守中(zhōng)国法律法规要(yào)求，欢(huān)迎(yíng)各国企(qǐ)业、各(gè)类(lèi)平台(tái)产(chǎn)品服务进(jìn)入(rù)中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保障关(guān)键信息基础设施(shī)供应(yīng)链安全，防范产品(pǐn)问(wèn)题隐患造成网络安全风险，维护国家安全(quán)，依据《中华(huá)人民共(gòng)和国国家安(ān)全法》《中华人(rén)民(mín)共和国网络安(ān)全法》，网络安(ān)全审查(chá)办(bàn)公室按照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华(huá)销售的(de)产(chǎn)品实施(shī)网络安全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片(piàn)行业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中(zhōng)国市场收(shōu)入从此前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电(diàn)子(zi)、 SK 海力士、美光在(zài)全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存(cún)储等(děng)公司披露过(guò)美光(guāng)等国际存储厂商(shāng)为(wèi)公司供应商。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波龙采购占比已经显著下降，至(zhì)少(shǎo)已(yǐ)经不是(shì)主要大供应(yīng)商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商(shāng)，采购(gòu)约31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第(dì)二大和第三大供(gōng)应商采(cǎi)购金额(é)占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经(jīng)在存(cún)储产业链上下游建立(lì)国(guó)内外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波(bō)龙与三星(xīng)、美光、西部数(shù)据等(děng)主要(yào)存储晶圆(yuán)原(yuán)厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公司(sī)在下(xià)游市场的供(gōng)应(yīng)优势(shì)，公(gōng)司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销售(shòu)受到限制，或将导致(zhì)下游客户转(zhuǎn)而(ér)采购国外三星(xīng)、 SK海力(lì)士，国(guó)内长江存储、长鑫(xīn)存(cún)储(chǔ)等(děng)竞(jìng)对产(chǎn)品

　　分(fēn)析称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中受益(yì)。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的(de)结(jié)构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关(guān)键、最大量的加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的(de)孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求(qiú)。据东京电子披露(lù)，薄(báo)膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长江存(cún)储被加入美国限制名(míng)单(dān)，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份(fèn)额提升(shēng)，以(yǐ)及存储业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等(děng)收入增长。

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