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　　美光(guāng)公司在华销售的产品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全审查办公(gōng)室依法(fǎ)对美光(guāng)公司在华(huá)销售产品进行(xíng)了(le)网络安全审(shěn)查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品(pǐn)存在较严重(zhòng)网络安全问题隐患，对我国(guó)关键信息基础设(shè)施供应链造成重大安全(quán)风险(xiǎn)，影响我国国家(jiā)安全(quán)。为此，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依(yī)法作赵丽颖一女战五男什么梗，赵丽颖叫玉镯是形容什么出不予(yǔ)通过网络(luò)安全(quán)审(shěn)查(chá)的结论。按照《网络安(ān)全法》等法律(lǜ)法规(guī)，我国内关键(jiàn)信息(xī)基础设施的(de)运营(yíng)者应停(tíng)止采购美(měi)光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光(guāng)公司产品进行(xíng)网络安全审查(chá)，目的是防(fáng)范(fàn)产品网络安全(quán)问题危害国(guó)家关(guān)键信(xìn)息基础设施安全，是维护国(guó)家安全的必要措施。中国(guó)坚(jiān)定推进高(gāo)水(shuǐ)平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品服务(wù)进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文(wén)称，为保障关(guān)键信(xìn)息基础设施供应链安全，防范(fàn)产(chǎn)品问题隐患造成网络安(ān)全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和(hé)国国家安全法》《中华人民共和国(guó)网络安(ān)全法》，网络(luò)安(ān)全审查(chá)办公室按照《网络安全(quán)审查(chá)办法》，对(duì)美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华销售的(de)产品实施网络安全(quán)审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也(yě)是全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自中国(guó)市(shì)场收(shōu)入(rù)从此前高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市(shì)场咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司(sī)披露过(guò)美光等(děng)国(guó)际存储厂商为公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比已(yǐ)经显著下(xià)降，至(zhì)少已经不是(shì)主(zhǔ)要大(dà)供应(yīng)商。

　　公告(gào)显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第一大、第二大和第三大供应商采购(gòu)金额占比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产(chǎn)业链(liàn)上(shàng)下(xià)游建(jiàn)立(lì)国内(nèi)外广泛(fàn)合(hé)作。2022年(nián)年报(bào)显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署(shǔ)了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公(gōng)司在下游市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如(rú)果美光在中国(guó)区销售受(shòu)到限制，或将导致下游客户转而采购国(guó)外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益。存储器的生(shēng)产(chǎn)已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的(de)结构(gòu)转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关(guān)键、最(zuì)大量的(de)加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔(kǒng)，未(wèi)来可能(néng)会更深的孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催生更多设备(bèi)需(xū)求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存储被加入(rù)美国限制名单，设备国产(chǎn)化进(jìn)程(chéng)加(jiā)速，看好拓荆科技(jì)（薄(báo)膜沉(chén)积(jī)）等相(xiāng)关公司(sī)份额提升，以(yǐ)及存储业务占比较高的华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收入增长。