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　　美光公司在华(huá)销售的产品(pǐn)未通(tōng)过网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办(bàn)公室依法对美光公司在华销售产品进行(xíng)了网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查(chá)。

　　审(shěn)查发现，美光(guāng)公司产(chǎn)品存在较严重(zhòng)网络安全问(wèn)题隐患，对我(wǒ)国关键信息(xī)基础(chǔ)设施供(gōng)应(yīng)链造成重大安全风险，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网络安全审查(chá)办公室依法作出(chū)不予通过(guò)网络安全审查的结(jié)论。按照(zhào)《网络安(ān)全法》等法律法规，我国内关(guān)键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设施的(de)运营者应(yīng)停止(zhǐ)采购(g兔子一年生几窝，兔子一年生几窝,一窝几只兔子一年生几窝，兔子一年生几窝,一窝几只n>òu)美光公(gōng)司产品。

　　此次(cì)对(duì)美光公司产品进行网络安(ān)全审查(chá)，目的是防范产品网络安全问题危害国家关键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施安全，是维护(hù)国家安全的必要(yào)措施。中国坚定推进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国法律法规(guī)要求(qiú)，欢迎各国(guó)企(qǐ)业、各类平(píng)台产品服务(wù)进入(rù)中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为保障关键信(xìn)息基础设施供(gōng)应链安全，防范产品问题隐患造成网(wǎng)络安(ān)全风险，维护国(guó)家安全，依(yī)据(jù)《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安(ān)全(quán)法(fǎ)》，网络安全审查(chá)办公室按照(zhào)《网络安(ān)全审(shěn)查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片(piàn)行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市(shì)场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份(fèn)额约(yuē)为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中(zhōng)，江波龙、佰维存(cún)储等公司披露(lù)过(guò)美光等国际存储厂商为公(gōng)司供应商(shāng)。

　　美(měi)光在江波龙(lóng)采(cǎi)购占比已经显著下(xià)降，至少已经不是主(zhǔ)要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位(wèi)列(liè)江(jiāng)波(bō)龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二(èr)大和第(dì)三大供(gōng)应(yīng)商(shāng)采兔子一年生几窝，兔子一年生几窝,一窝几只(cǎi)购金(jīn)额(é)占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在(zài)存储产业(yè)链上(shàng)下游建立国(guó)内(nèi)外广(guǎng)泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙(lóng)与(yǔ)三星(xīng)、美光、西部数据(jù)等主要(yào)存储晶圆原厂签署了长期(qī)合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公(gōng)司在下游市场的供应优(yōu)势，公司也与国内国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合(hé)肥长鑫保持良好(hǎo)的合(hé)作。

　　有券(quàn)商(shāng)此前就分析，如果美光在中国区销售(shòu)受到限制，或将(jiāng)导(dǎo)致下游(yóu)客(kè)户(hù)转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的(de)上(shàng)游设(shè)备厂或从中(zhōng)受益。存储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为最(zuì)关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更(gèng)深的(de)孔或者(zhě)沟槽(cáo)，催生更多设备需(xū)求。据东京电(diàn)子(zi)披露，薄膜沉(chén)积设(shè)备及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加(jiā)入美国限制(zhì)名(míng)单，设备(bèi)国产化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄(báo)膜沉(chén)积）等相关(guān)公司份(fèn)额(é)提升(shēng)，以及存(cún)储业务占比(bǐ)较高的华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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