大(dà)家好，来(lái)看一(yī)则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在(zài)华销售的产(chǎn)品未(wèi)通(tōng)过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消(xiāo)息，日(rì)前(qián)，网络安(ān)全(quán)审(shěn)查办公(gōng)室依法对美光(guāng)公司在华销售产品进行了网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重(zhòng)网络安(ān)全(quán)问题隐患，对我(wǒ)国关键信息基(jī)础(chǔ)设施供应链造成重大(dà)安全风险(xiǎn)，影响我国国家(jiā)安全。为此(cǐ)，网络安全(quán)审查(chá)办公室依法作(zuò)出不予通过网络安全(quán)审查的结论。按(àn)照(zhào)《网(wǎng)络(luò)安全法》等法律(lǜ)法(fǎ)规，我国内关键信息(xī)基(jī)础设(shè)施(shī)的运(yùn)营者应停止采(cǎi)购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行网络安全(quán)审(shěn)查，目(mù)的是防范产(chǎn)品(pǐn)网(wǎng)络安全(quán)问题危害(hài)国(guó)家关键信息基础设施安全，是维护国家安全的必(bì)要(yào)措施(shī)。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放，只要遵守中国法律法规要求，欢(huān)迎各(gè)国(guó)企业、各类平台产品(pǐn)服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信网发文称，为(wèi)保障关(guān)键信息基(jī)础(chǔ)设施供(gōng)应链(liàn)安全，防范(fàn)产品问题隐患造成网络安祈使句例子英语，祈使句例子10个全风险(xiǎn)，维(wéi)护国(guó)家安(ān)全，依据《中华人民共和国国家安(ān)全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络(luò)安(ān)全(quán)审查办公室按(àn)照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产品实施网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行业龙头，也是全(quán)球存储芯(xīn)片巨头之一(yī)，2022年收入(rù)来自中国市场收入从(cóng)此前高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维(wéi)存储等(děng)公(gōng)司(sī)披露过美光等国(guó)际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比(bǐ)已经显著下降(jiàng)，至少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波(bō)龙第一(yī)大存储(chǔ)晶圆(yuán)供应商，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙(lóng)第(dì)一大、第二大和第(dì)三大(dà)供应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经(jīng)在(zài)存储产业链上下游建立(lì)国内外(wài)广泛合(hé)作。2022年年报显(xiǎn)示，江波(bō)龙(lóng)与三星(xīng)、美光(guāng)、西部数据等(děng)主要存(cún)储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约(yuē)，确保存储晶圆(yuán)供(gōng)应(yīng)的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市(shì)场的供应优势(shì)，祈使句例子英语，祈使句例子10个公司也(yě)与(yǔ)国内(nèi)国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美光在(zài)中国(guó)区销售受到限制，或(huò)将(jiāng)导致下游(yóu)客户转而采购国外三(sān)星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国(guó)内(nèi)长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或(huò)从中受益。存(cún)储器(qì)的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到(dào)3维(wéi)的(de)结(jié)构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量(liàng)的(de)加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔(kǒng)，未(wèi)来(lái)可(kě)能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催(cuī)生(shēng)更多设(shè)备需求(qiú)。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被(bèi)加入(rù)美国限制(zhì)名单，设(shè)备国产化进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉(chén)积）等(děng)相关公司(sī)份额(é)提升(shēng)，以及存储业务占比较(jiào)高的(de)华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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