大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销(xiāo)售的产(chǎn)品未(wèi)通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络(luò)安全(quán)审查办公室(shì)依法对美光(guāng)公司在华(huá)销售(shòu)产品(pǐn)进行了(le)网络安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司(sī)产品存在较严重网络(luò)安全问题(tí)隐患，对(duì)我国关(guān)键信息基础(chǔ)设(shè)施供(gōng)应链造成重大安全(quán)风险，影响(xiǎng)我国(guó)国家安全。为(wèi)此，网(wǎng)络安全审查(chá)办(bàn)公(gōng)室依(yī)法作出(chū)不予通过网络(luò)安全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设(shè)施的运营者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品(pǐn)进行(xíng)网络安(ān)全审查，目的是防范产品网络安全问题危害(hài)国家关键信息基础设施安全，是(shì)维护国家安全(quán)的必要措施。中国坚定(dìng)推进高水平对(duì)外开放，只要遵守中国法律(lǜ)法规(guī)要求，欢迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为保障关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础设(shè)施供应链安全，防(fáng)范产品问(wèn)题隐患造成(chéng)网络安全风险，维(wéi)护国家安全(quán)，依据《中华(huá)人民共和国国家安(ān)全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公(gōng)室按照《网络安(ān)全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品(pǐn)实施(shī)网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存(cún)储芯(xīn)片行(xíng)业龙头，也(yě)是(shì)全球存(cún)储芯(xīn)片巨(jù)头之一，2022年收入来(lái)自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电(diàn)子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储(chǔ)等公司披(pī)露过美光(guāng)等(děng)国际存储(chǔ)厂商为(wèi)公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至少(shǎo)已经不是主要大供(gōng)应商(shāng)。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存储(chǔ)晶(jīng)圆供应(yīng)商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大(dà)、第二(èr)大(dà)和第三大供应商采购(gòu)金额(é)占比分外公总是在妈妈身上睡觉好吗，外公在妈妈身上做什么别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经(jīng)在存(cún)储(chǔ)产业链上下游(yóu)建立国(guó)内外(wài)广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星、美光(guāng)、西部数据等(děng)主(zhǔ)要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约(yuē)，确保存储(chǔ)晶(jīng)圆供应(yīng)的稳定(dìng)性，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应优势，公司也与国内国(guó)产(chǎn)存(cún)储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持良好的(de)合作(zuò)。

　　有(y外公总是在妈妈身上睡觉好吗，外公在妈妈身上做什么ǒu)券商此前(qián)就分(fēn)析，如果美光(guāng)在中国区销(xiāo)售(shòu)受(shòu)到限制，或将导(dǎo)致下游客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游设备厂或从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层(céng)均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺(yì)步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的(de)孔或(huò)者沟槽(cáo)，催生(shēng)更(gèng)多设(shè)备(bèi)需求(qiú)。据东(dōng)京电子披露，薄膜(mó)沉积设备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自(zì)长江存储被(bèi)加入美(měi)国限制名单，设备(bèi)国产化(huà)进程(chéng)加速，看好(hǎo)拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升(shēng)，以及存(cún)储业务(wù)占比较(jiào)高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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