大家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未通过网络安全审(shěn)查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安全审查办(bàn)公室(shì)依法(fǎ)对美光公司在(zài)华销售(shòu)产品(pǐn)进行了(le)网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存在较(jiào)严重(zhòng)网(wǎng)络安全问题隐患，对(duì)我国关键信息基础设施供应(yīng)链造(zào)成重大安(ān)全风险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网络安全审查(chá)办公室依法作出不(bù)予通(tōng)过网络安(ān)好好记住我在你体内的感觉全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国(guó)内关键信息(xī)基础设施的运(yùn)营(yíng)者应(yīng)停(tíng)止采(cǎi)购美(měi)光公司产品。

　　此次对美(měi)光(guāng)公司产品进行网络(luò)安(ān)全(quán)审查(chá)，目的(de)是(shì)防范产品(pǐn)网络安(ān)全问题危害国家关键信息基础设施安全(quán)，是维(wéi)护(hù)国(guó)家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放，只要遵守中(zhōn好好记住我在你体内的感觉g)国(guó)法律(lǜ)法规要求(qiú)，欢(huān)迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服务进入(rù)中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基(jī)础(chǔ)设施供应(yīng)链(liàn)安全，防范(fàn)产品(pǐn)问题隐患造成网络安(ān)全风(fēng)险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安(ān)全法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共和国网络安全(quán)法(fǎ)》，网络安全审(shěn)查(chá)办公室按照《网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产(chǎn)品实施网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业(yè)龙(lóng)头(tóu)，也(yě)是(shì)全球存(cún)储(chǔ)芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美(měi)光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波(bō)龙、佰(bǎi)维存储等公司(sī)披露过(guò)美光等国际存(cún)储(chǔ)厂商为公司供(gōng)应商(shāng)。

　　美光在江波(bō)龙采购(gòu)占(zhàn)比已经显著下(xià)降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光(guāng)位列江波龙第一大存储晶圆供应(yīng)商，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经(jīng)在(zài)存储产业链上(shàng)下游建立国内外(wài)广泛(fàn)合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星(xīng)、美光、西部(bù)数(shù)据等(děng)主要(yào)存储(chǔ)晶(jīng)圆原(yuán)厂签(qiān)署了长期合约，确保存(cún)储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公司在(zài)下游(yóu)市场的供(gōng)应优势，公(gōng)司(sī)也与国内国产(chǎn)存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商此(cǐ)前就(jiù)分析，如果美光在中国区销售受到限(xiàn)制，或(huò)将导致下游客(kè)户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存(cún)储、长鑫存储等(děng)竞对产品(pǐn)

　　分析(xī)称，长存、长鑫的(de)上游设备厂或(huò)从中受益。存储器的生产已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时(shí)代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻(kè)蚀和(hé)薄膜成(chéng)为最关键、最大量(liàng)的(de)加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均需要经过(guò)薄(báo)膜沉积工艺(yì)步骤，同(tóng)时(shí)刻(kè)蚀(shí)目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可(kě)能会更深的(de)孔或者沟槽，催生更多(duō)设备(bèi)需(xū)求(qiú)。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支(zhī)合计为75％。自长江(jiāng)存储被加(jiā)入美国限制名单(dān)，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜(mó)沉积）等相关公司份(fèn)额提升，以(yǐ)及存(cún)储业(yè)务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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