大家好，来看一则突发消息。

　　美光公(gōng)司(sī)在华销售的(de)产品(pǐn)未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安(ān)全审查办公室依(yī)法对美光公司在华销售产(chǎn)品进行(xíng)了网(wǎng)络安全审查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光公(gōng)司(sī)产品存在较严重网(wǎng)络安(ān)全问题隐患(huàn)，对我国关键信息基础(chǔ)设施供应链造成重大安全风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家安(ān)全。为此，网络安全审(shěn)查办公室依法作(zuò)出不予通过网络安全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规(guī)，我国内(nèi)关键信息基础设(shè)施的运营者应(yīng)停止采(cǎi)购(gòu)美光(guāng)公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品(pǐn)进行网络安全(quán)审查，目的是防范产品网(wǎng)络安全问题(tí)危(wēi)害国(guó)家关(guān)键信(xìn)息基础设(shè)施(shī)安全(quán)，是(shì)维护国家安全的(de)必要措施。中国(guó)坚(jiān)定推(tuī)进(jìn)高水平对外开放，只要遵守中(zhōng)国法律(lǜ)法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品服(fú)务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称(chēng)，为保障关键(jiàn)信息基础设施供应链(liàn)安全，防范产品问题隐患造成网络安全(quán)风(fēng)险，维(wéi)护国家安全，依据《中华人民共(gòng)和国国家安全法》《中华(huá)人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络安全(quán)审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华(huá)销售的产(chǎn)品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存(cún)储(chǔ)芯片(piàn)行(xíng)业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市(shì)场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士(shì)、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三星(xī诸葛亮决胜千里之外运筹帷幄之中说的是谁，决胜千里之外运筹帷幄之中说的是谁说出来的ng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％诸葛亮决胜千里之外运筹帷幄之中说的是谁，决胜千里之外运筹帷幄之中说的是谁说出来的。

　　A股(gǔ)上市公司(sī)中，江(jiāng)波龙、佰维(wéi)存(cún)储(chǔ)等公司披露过美光等(děng)国际存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波(bō)龙(lóng)采购占比(bǐ)已经显著下(xià)降，至少已经不(bù)是主要大供应(yīng)商。

　　公(gōng)告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一大、第二(èr)大和第(dì)三大供应商采购(gòu)金额占比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(ló诸葛亮决胜千里之外运筹帷幄之中说的是谁，决胜千里之外运筹帷幄之中说的是谁说出来的ng)已经在存储产业链上(shàng)下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据(jù)等主要存储晶(jīng)圆(yuán)原(yuán)厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固(gù)公司在下游市场的(de)供应优(yōu)势，公司也与国内(nèi)国(guó)产存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)原(yuán)厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持(chí)良好的合作(zuò)。

　　有券商(shāng)此前就(jiù)分(fēn)析(xī)，如果美光在中国区销售(shòu)受到限制，或将(jiāng)导致下游(yóu)客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受(shòu)益。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结(jié)构转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东(dōng)京电(diàn)子(zi)披露，薄(báo)膜沉(chén)积设(shè)备及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资(zī)本开支合计为75％。自长江存储被加入(rù)美(měi)国(guó)限制(zhì)名单，设备国产(chǎn)化(huà)进程(chéng)加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相(xiāng)关公司份额(é)提升，以及存储业(yè)务(wù)占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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