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　　美光公司在华销售(shòu)的产品未通过网络安全审(shěn)查(chá)

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)办公室(shì)依法对(duì)美光公司(sī)在华销售(shòu)产(chǎn)品进行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司(sī)产品存在较严重网络安(ān)全问题隐患，对(duì)我(wǒ)国关键信息基础设施供应链造成(chéng)重大(dà)安(ān)全风(fēng)险，影(yǐng)响我国国家(jiā)安全(quán)。为此，网络(luò)安全审查办公(gōng)室依法(fǎ)作出(chū)不予通(tōng)过(guò)网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我国(guó)内关键信(xìn)息基(jī)础设施的运营者(zhě)应停止采购美光(guāng)公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对美(měi)光公司产(chǎn)品进行(xíng)网络安(ān)全审查，目的是防范产品(pǐn)网络(luò)安(ān)全问题(tí)危害国家关键信(xìn)息基础设(shè)施安全，是(shì)维护(hù)国家(jiā)安全的必要(yào)措施。中国坚定推进高水平对(duì)外开放(fàng)，只要遵守(shǒu)中(zhōng)国法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业(yè)、各类(lèi)平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称(chēng)，为保障关键信息基础设施供应链安(ān)全，防范产(chǎn)品问(wèn)题(tí)隐患造成网络安全(quán)风(fēng)险，维护国家安(ān)全，依据《中华(huá)人民(mín)共和国国家安(ān)全法》《中华(huá)人民共和(hé)国网络安(ān)全法(fǎ)》，网络安(ān)全(quán)审查(chá)办(bàn)公室按照《网(wǎng)络安(ān)全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实(shí)施网络安(ān)全审(shěn)查(chá)。

　　美光是(s没带罩子让捏了一节课感受hì)美国(guó)的存储芯(xīn)片行业龙头，也是全球存(cún)储芯(xīn)片巨头(tóu)之一，2022年收入来(lái)自(zì)中国市场收入从此前高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中(zhōng)，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存(cún)储等公司披露过美光(guāng)等国际存(cún)储厂商为公司供(gōng)应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降(jiàng)，至少已经不(bù)是主要大供应商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第(dì)一大、第二大和第三大供应商(shāng)采(cǎi)购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产业链上下游(yóu)建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签(qiān)署了长期合约(yuē)，确(què)保(bǎo)存储晶圆供(gōng)应的稳定(dìng)性，巩固公(gōng)司(sī)在下游(yóu)市(shì)场的供应(yīng)优势(shì)，公司也与(yǔ)国(guó)内国(guó)产存储晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光(guāng)在(zài)中国区没带罩子让捏了一节课感受销售受到限制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外(wài)三(sān)星、 SK海力士，国(guó)内(nèi)长江存储(chǔ)、长鑫存(cún)储等竞对产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的(de)上游设(shè)备(bèi)厂或从中受(shòu)益。存储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结(jié)构(gòu)转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和薄膜成(chéng)为最关(guān)键(jiàn)、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜(mó)沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更(gèng)深(shēn)的孔或者沟槽(cáo)，催(cuī)生更(gèng)多设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存(cún)储被加入(rù)美国限制名(míng)单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜(mó)沉积）等相关公司份额提升，以及存储(chǔ)业务占比较(jiào)高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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