大(dà)家好(hǎo)，来看一则(zé)突发(fā)消息(xī)。

　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未通过网络安(ān)全审查(chá)

　　据网(wǎng)信办消息(xī)，日(rì)前，网(wǎng)络安全审(shěn)查办(bàn)公室依法对美光(guāng)公司在(zài)华销(xiāo)售(shòu)产品进(jìn)行了网络(luò)安全审(shěn)查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存在较严(yán)重网络(luò)安全问题(tí)隐患，对我(wǒ)国关键信(xìn)息基础设(shè)施供(gōng)应链(liàn)造(zào)成重大安(ān)全风险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网络(luò)安全审查办公室(shì)依(yī)法作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我国(guó)内(nèi)关键信息基础设施(shī)的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产(chǎn)品进行网络安全审查，目的(de)是(shì)防范产品网络安全问题危害国家关(guān)键信息基(jī)础设施安全(quán)，是维护国(guó)家安全(quán)的必要措施。中国坚定(dìng)推进高水(shuǐ)平对外开放，只要(yào)遵守中(zhōng)国法律法规(guī)要(yào)求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月(yuè)31日(rì)，新人进拘留所会挨打吗，拘留所新人进去受欺负吗中(zhōng)国网信网发文称(chēng)，为保障关键信息基础(chǔ)设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络(luò)安全(quán)风险，维(wéi)护(hù)国(guó)家安全，依(yī)据《中(zhōng)华人民(mín)共和(hé)国国家安全法(fǎ)》《中华人(rén)民(mín)共和国(guó)网(wǎng)络安全法》，网络安全审查办公(gōng)室按照《新人进拘留所会挨打吗，拘留所新人进去受欺负吗网络安(ān)全审查(chá)办法》，对(duì)美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨头之一(yī)，2022年(nián)收(shōu)入来自中(zhōng)国市场收入从(cóng)此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力(lì)士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙(lóng)、佰维存(cún)储(chǔ)等公司披露过(guò)美光等国际存储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美(měi)光(guāng)在(zài)江(jiāng)波龙采(cǎi)购(gòu)占(zhàn)比已经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光(guāng)位列江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应商(shāng)，采购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三(sān)大供应(yīng)商(shāng)采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产业链上下游建立国内外(wài)广泛(fàn)合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美(měi)光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期(qī)合约，确保(bǎo)存储晶圆(yuán)供(gōng)应(yīng)的稳(wěn)定性，巩固公司在下(xià)游市场(chǎng)的供(gōng)应优势，公司也与国内(nèi)国(guó)产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美光在中国(guó)区销售受到(dào)限制，或将导致下游客户转而(ér)采购国外(wài)三(sān)星、 SK海力(lì)士(shì)，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受(shòu)益(yì)。存储器的(de)生产已经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄(báo)膜成(chéng)为最关(guān)键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要(yào)经过薄(báo)膜沉(chén)积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到(dào) 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据东京电(diàn)子(zi)披露(lù)，薄膜沉(chén)积(jī)设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自长江存储被(bèi)加入(rù)美(měi)国限制名单，设备国产(chǎn)化进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相(xiāng)关公司份额提升，以及存(cún)储业务(wù)占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等(děng)收入增长。

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