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　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未通过网络(luò)安全审查劲仔深海小鱼是什么鱼做的，劲仔小鱼是海鱼还是淡水鱼>

　　据(jù)网(wǎng)信办消息，日(rì)前，网络安全审查(chá)办公室依法对(duì)美光公司在华销售产品(pǐn)进行了(le)网络安全审查(chá)。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存在较严重网络安(ān)全问题隐患(huàn)，对我国关键信息基础(chǔ)设(shè)施(shī)供应链造成(chéng)重(zhòng)大安全风险，影响我国国(guó)家安全。为(wèi)此(cǐ)，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公(gōng)室依法(fǎ)作出不予通过网络(luò)安(ān)全审(shěn)查的结论(lùn)。按照《网络安全法(fǎ)》等(děng)法律法规，我国(guó)内关键(jiàn)信息(xī)基础设施(shī)的(de)运营者应停止采(cǎi)购美光(guāng)公司产品。

　　此次(cì)对美光(guāng)公司(sī)产品(pǐn)进(jìn)行(xíng)网络安全(quán)审查，目的是(shì)防(fáng)范产品网络(luò)安全问题危害(hài)国家关(guān)键信息(xī)基础设施安全，是(shì)维护国家(jiā)安全的(de)必(bì)要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵(zūn)守中国(guó)法律(lǜ)法规(guī)要求，欢迎(yíng)各国企(qǐ)业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网信网发(fā)文称(chēng)，为保障关(guān)键信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链(liàn)安全，防范产(chǎn)品(pǐn)问题隐患(huàn)造成网络安全风险，维护(hù)国家安(ān)全，依据《中(zhōng)华(huá)人(rén)民共和国国家安全法》《中华人民共(gòng)和国(guó)网络安(ān)全法》，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室按(àn)照(zhào)《网络安全审查(chá)办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)。

　　美(měi)光是美国的存(cún)储芯片行业龙(lóng)头，也是全球(qiú)存储芯片(piàn)巨头之一(yī)，2022年收入来自(zì)中国市(shì)场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司(sī)中，江波龙、佰维存(cún)储(chǔ)等(děng)公司披露过美光等国(guó)际存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已经(jīng)显著下降，至少已经不是主要大(dà)供应(yīng)商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存储晶(jīng)圆供(gōng)应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第(dì)一大、第二大和第三大(dà)供应商采购(gòu)金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在(zài)存储产(chǎn)业链上(shàng)下游(yóu)建(jiàn)立国内(nèi)外广泛(fàn)合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存(cún)储晶圆(yuán)原厂签署了(le)长期合(hé)约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的(de)供应优势(shì)，公(gōng)司也与国内国产(chǎn)存储晶(jīng)圆(yuán)原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美光在(zài)中(zhōng)国(guó)区销售受到限制，或将(jiāng)导致下游客户转而(ér)采(cǎi)购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存(cún)储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中(zhōng)受益(yì)。存(cún)储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结(jié)构(gòu)转变(biàn)使刻蚀和薄(báo)膜(mó)成为最关(guān)键、最(zuì)大量的加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时(shí)刻(kè)蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会(huì)更(gèng)深的孔或(huò)者沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加入美(měi)国限制(zhì)名(míng)单，设备(bèi)国(guó)产化(huà)进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉(chén)积）等(děng)相关公(gōng)司(sī)份额提升，以及(jí)存储业务占比(bǐ)较高的(de)华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收(shōu)入(rù)增长。