大家好，来看一则突发消息。

　　美(měi)光(guāng)公司在华(huá)销售的产品未(wèi)通过网(wǎng)络安(ān)全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日(rì)前，网络安全审查办公室依法对美光公司在华销售(shòu)产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美(měi)光公司产品(pǐn)存在较严重网络安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息基础(chǔ)设施供应链造(zào)成重大安全风险(xiǎn)，影响我(wǒ)国(guó)国(guó)家安全。为此，网络安全审查(chá)办公室依法作出不予通过网(wǎng)络安全审查(chá)的结论。按(àn)照《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次(cì)对(duì)美(měi)光公司(sī)产品(pǐn)进行网络安全(quán)审查，目的(de)是防范产品(pǐn)网络安全问题危害国(guó)家(jiā)关键信息基础设施安全(quán)，是维(wéi)护(hù)国家安(ān)全的必要措施。中国(guó)坚定推进高水平(píng)对外(wài)开(kāi)放，只要遵守中国(guó)法律法规要求，欢(huān)迎各(gè)国企(qǐ)业、各(gè)类(lèi)平台产品(pǐn)服务进(jìn)入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网(wǎng)发(fā)文称，为保(bǎo)障关键信息基础设(shè)施供应链安全(quán)，防范产品(pǐn)问题隐(yǐn)患造成网络安全风(fēng)险(xiǎn)，维护(hù)国家(jiā)安全，依据《中华人(rén)民共(gòng)和国国家安全法》《中华人民共(gòng)和国网(wǎng)络安(ān)全法(fǎ)》，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室按照(zhào)《网络(luò)安全(quán)审(shěn)查办法》，对美(měi)光公(gōng)司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施(shī)网络安全审查(chá)。

　　美(měi)光是美(měi)国的(de)存102693是哪个学校代码，10532是哪个学校代码储芯片行业龙头，也(yě)是(shì)全(quán)球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收入从此前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部(bù)数(shù)据(jù)、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中(zhōng)，江波(bō)龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等(děng)公司(sī)披露过美光(guāng)等国(guó)际存储厂商为公司供应商。

　　美光在(zài)江(jiāng)波龙(lóng)采(cǎi)购占(zhàn)比(bǐ)已经(jīng)显著下降，至少已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列(liè)江波(bō)龙第一大存储晶圆(yuán)供应商，采购(gòu)约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一(yī)大、第二大(dà)和第三大供应商采购102693是哪个学校代码，10532是哪个学校代码金额占(zhàn)比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已(yǐ)经(jīng)在存储(chǔ)产业链上(shàng)下游建立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙(lóng)与三星(xīng)、美(měi)光、西部(bù)数据等主要(yào)存(cún)储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保存(cún)储晶(jīng)圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场的供应(yīng)优势，公司也(yě)与国(guó)内(nèi)国产存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前就分析，如果美光(guāng)在中(zhōng)国(guó)区销售受到限制，或将导(dǎo)致下(xià)游客户(hù)转而采购(gòu)国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分(fēn)析(xī)称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益。存储器(qì)的生产(chǎn)已经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉(chén)积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据(jù)东(dōng)京电(diàn)子(zi)披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资(zī)本(běn)开支(zhī)合计为75％。自长江存(cún)储被(bèi)加入美国限制名单(dān)，设备(bèi)国产化(huà)进程加速，看好拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜沉(chén)积）等相关(guān)公司份额提升，以及(jí)存(cún)储业(yè)务(wù)占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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