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　　美光公司在华销售的产(chǎn)品(pǐn)未(wèi)通(tōng)过网络安(ān)全审查

　　据(jù)网信办消息(xī)，日前，网络安(ān)全审查办公室依法对美光公司(sī)在华销(xiāo)售(shòu)产品(pǐn)进行(xíng)了网络安全(quán)审(shěn)查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品(pǐn)存在较(jiào)严重网络安全问题隐患(huàn)，对我国(guó)关键(jiàn)信息基础设施供应链造成重大安全风险，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)依法作出不(bù)予通过网络安(ān)全(quán)审查的(de)结论。按照《网(wǎng)络安全法》等(děng)法律法(fǎ)规，我国内关键信(xìn)息基础(chǔ)设施(shī)的运营(yíng)者应停止(zhǐ)采购(gòu)美光公司(sī)产(chǎn)品。

　　此次对美(měi)光(guāng)公司产品进行网络安全审(shěn)查，目的(de)是防范产(chǎn)品网络安全问题危害(hài)国家关键(jiàn)信息基础设施安(ān)全，是维护国家安全(quán)的(de)必(bì)要措施。中国坚定推(tuī)进高水平对外(wài)开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规(guī)要求，欢迎各国企(qǐ)业、各(gè)类平(píng)台产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为保障关(guān)键信息(xī)基础设施供应链安(ān)全，防范产品问题隐(yǐn)患造(zào)成网络安全风(fēng)险，维护国家安(ān)全，依据《中华人(rén)民共和国国家安全(quán)法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共(gòng)和国(guó)网络安全(quán)法》，网络(luò)安全(quán)审(shěn)查办公室按照(zhào)《网络安全审查办(bàn)法(fǎ)》，对美光公司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络安(ān)全(quán)审(shěn)查。

　　美(měi)光(guāng)是美国的存储芯片行业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年(nián)收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约(yuē)为(wèi) 96.76％，三(sān)星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中(zhōng)，江(jiāng)波(bō)龙、佰(bǎi)维存储等公(gōng)司披露过美光(guāng)等国(guó)际存储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采(cǎi)购占比已经显著下降，至少(shǎo)已经不是主要大(dà)供应(yīng)商。

　　公(gōng)告显示， 2021年(nián)美光位列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第(dì)一大、第二(èr)大和第三(sān)大供应商采购(gòu)金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经(jīng)在存储产业链上下(xià)游建(jiàn)立(lì)国内(nèi)外(wài)广泛合作(zuò)。2022年(nián)年报(bào)显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂(chǎng)签署(shǔ)了长期(qī)合约，确(què)保存(cún)储晶(jīng)圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司(sī)在下游市场的供应优势，公(gōng)司也与(yǔ)国(guó)内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在(zài)中国区销售受到(dào)限制，或将(jiāng)导致下(xià)游(yóu)客(kè)户转而采(cǎi)购国(guó)外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中受益(yì)。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来大学所在年级怎么填写才正确，大学所在年级一栏填什么(lái)可能(néng)会更(gèng)深(shēn)的(de)孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需求。据东(dōng)京电(diàn)子披(pī)露，薄(báo)膜沉积(jī)设备及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开(kāi)支合(hé)计为(wèi)75％。自长江存储(chǔ)被加入美国(guó)限制(zhì)名单，设备国(guó)产化进程加速(sù)，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公(gōng)司份额(é)提升(shēng)，以及存储业务占(zhàn)比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入(rù)增长(zhǎng)。

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