大(dà)家好，来看一则(zé)突(tū)发消息。

　　美光公司在(zài)华销(xiāo)售的产品未通过网络(luò)安全审查(chá)

　　据网信办消息，日前(qián)，网络(luò)安(ān)全审(shěn)查办公室依法对美(měi)光公司在华销售产品进行了(le)网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在(zài)较(jiào)严重(zhòng)网络安全问题(tí)隐(yǐn)患，对我国(guó)关键(jiàn)信息基(jī)础(chǔ)设施供应链造成(chéng)重大安全风险，影响我国国家安(ān)全(quán)。为此，网络(luò)安(ān)全审查顺产后宫缩第几天最疼，顺产后宫缩疼的厉害怎么缓解办公室依法作出不予通过(guò)网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)的结(jié)论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律(lǜ)法(fǎ)规(guī)，我国内关键信息基础设(shè)施(shī)的运营者(zhě)应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目(mù)的是防(fáng)范产品网络安全问(wèn)题危害国家关键信(xìn)息基础设施安(ān)全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定(dìng)推(tuī)进高水平对外(wài)开放，只要(yào)遵守中国法律法规要求(qiú)，欢(huān)迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信(xìn)网发文称(chēng)，为保障关键(jiàn)信息基础设(shè)施供应链安全，防范(fàn)产品问题(tí)隐(yǐn)患造成(chéng)网络(luò)安(ān)全风(fēng)险，维护(hù)国家安全(quán)，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公(gōng)室按(àn)照《网络(luò)安全审查(chá)办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在(zài)华(huá)销售的产品实(shí)施网络(luò)安全(quán)审查(chá)。

　　美光是美国的(de)存储芯(xīn)片行业龙头，也是全(quán)球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠侠、西部(bù)数据(jù)、SK 海力(lì)士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等(děng)公司披露过美光等国际(jì)存储厂商为公(gōng)司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比(bǐ)已(yǐ)经(jīng)显(xiǎn)著下降，至少已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光(guāng)位列江波(bō)龙第一大存(cún)储晶圆(yuán)供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和第三大供应商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产业链上(shàng)下游建(jiàn)立国内外广泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三(sān)星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长(zhǎng)期合约，确保(bǎo)存储(chǔ)晶圆(yuán)供应的稳(wěn)定性，巩固(gù)公司在下(xià)游市场的供应优(yōu)势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫(xīn)保顺产后宫缩第几天最疼，顺产后宫缩疼的厉害怎么缓解持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分(fēn)析(xī)，如(rú)果美光在中国(guó)区销售受到限制，或将导致下游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中(zhōng)受(shòu)益。存储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目(mù)前(qián)前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来(lái)可能会更深的(de)孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京(jīng)电子(zi)披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合(hé)计为(wèi)75％。自长江存(cún)储被加(jiā)入美国限制名单，设备国(guó)产化(huà)进(jìn)程加速(sù)，看(kàn)好(hǎo)拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等(děng)相(xiāng)关公司份额(é)提升，以及(jí)存储业务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收入增长。

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