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　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未通(tōng)过网络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安全审查(chá)办公室依法对美光公(gōng)司在华销售产(chǎn)品进(jìn)行了网络安全审查(chá)。

　　审查发现，美(měi)光公司(sī)产品存(cún)在较严重网络安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息(xī)基础设施供应(yīng)链造成重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络安全审查办(bàn)公室依法(fǎ)作出不予(yǔ)通(tōng)过网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)的结论(lùn)。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键(jiàn)信息基础设施的运营者应(yīng)停止采购美光(guān黄姓的来源和历史名人和现状，陆终到底是不是黄姓祖先g)公司产(chǎn)品。

　　此次对(duì)美光公司产(chǎn)品进行网络(luò)安(ān)全审查，目的是(shì)防范产(chǎn)品网络安全问题危害国家关键信(xìn)息基础(chǔ)设施安全(quán)，是维护国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定(dìng)推进高水平(píng)对外开放(fàng)，只要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎(yíng)各国(guó)企业、各类(lèi)平台(tái)产品服务(wù)进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称，为保障(zhàng)关键(jiàn)信息基础设施(shī)供(gōng)应链安全，防(fáng)范产品问题隐患造成网络(luò)安(ān)全(quán)风(fēng)险(xiǎn)，维护(hù)国(guó)家安(ān)全，依据《中华人民共和(hé)国国家安全法》《中(zhōng)华(huá)人民共和国网络安全法(fǎ)》，网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查办公室按照《网络(luò)安全审查办法》，对(duì)美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存(cún)储(chǔ)芯(xīn)片(piàn)巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市场收入从此前(qián)高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在(zài)全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市(shì)场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光(guāng)等国际存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已经显著下降，至(zhì)少已经不(bù)是主要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一(yī)大、第二大和黄姓的来源和历史名人和现状，陆终到底是不是黄姓祖先第(dì)三大供应(yīng)商采(cǎi)购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产业(yè)链上下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年黄姓的来源和历史名人和现状，陆终到底是不是黄姓祖先年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据(jù)等主要存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)原厂签(qiān)署了长期合(hé)约，确保存储晶圆(yuán)供应(yīng)的稳定性(xìng)，巩固(gù)公司(sī)在下(xià)游市场(chǎng)的供应优势，公司也(yě)与国(guó)内国产存储(chǔ)晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉长(zhǎng)江存(cún)储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果(guǒ)美光在中国区销售(shòu)受到(dào)限制，或将导致(zhì)下游客户转(zhuǎn)而采购(gòu)国外三星、 SK海力(lì)士，国(guó)内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或(huò)从中(zhōng)受益。存储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结(jié)构转变使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成(chéng)为最(zuì)关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄(báo)膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东(dōng)京电子(zi)披(pī)露，薄膜(mó)沉积(jī)设(shè)备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长江存储(chǔ)被加(jiā)入美国限(xiàn)制名单，设备国产化进程(chéng)加(jiā)速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额(é)提升，以及(jí)存储业务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等收(shōu)入(rù)增(zēng)长。

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