大家好(hǎo)，来看(kàn)一则突发消息。

　　美光(guāng)公(gōng)司在华销售的产品未通过(guò)网络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查(chá)办公室依法对美光公司在(zài)华销售产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存在较严重网络(luò)安全问题隐(yǐn)患，对(duì)我国关键信息基础设施供应链造成重大安(ān)全风(fēng)险，影(yǐng)响我(wǒ)国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通过(guò)网络安全审查的结论。按照《网络安(ān)全法(fǎ)》等法律法(fǎ)规，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网(wǎng)络安全(quán)审查，目的是(shì)防范产(chǎn)品网络安全(quán)问题(tí)危害国(guó)家关(guān)键信(xìn)息(xī)基础设(shè)施安全(quán)，是维护(hù)国家安(ān)全的必要措(cuò)施(shī)。中(zhōng)国坚(jiān)定推进高(gāo)水平(píng)对(duì)外开放，只要遵守中国法律(lǜ)法规(guī)要求，欢迎(yíng)各国企业、各类(lèi)平台产(chǎn)品服务进入中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保障关键信息基础设施供应(yīng)链(liàn)安全，防范产品问题(tí)隐患造成网络安全风险，维护国(guó)家安(ān)全，依(yī)据《中华人民共和国(guó)国家安全法》《中华人民共和国网络安(ān)全(quán)法》，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)按照(zhào)《网络安全审查(chá)办法(fǎ)》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售(shòu)的(de)产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光是美国的猫肠胃不好老是吐怎么办，猫咪隔三差五吐但是精神很好存(cún)储芯片行(xíng)业龙头(tóu)，也是全球(qiú)存储芯(xīn)片巨头之(zhī)一，2022年(nián)收入来自中国市(shì)场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在全球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露(lù)过美光(guāng)等国际(jì)存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购(gòu)占比已经显著下(xià)降，至少已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年(nián)美光位(wèi)列江波龙第一大(dà)存储晶圆(yuán)供应商，采(cǎi)购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和(hé)第三大供应商(shāng)采购金额(é)占比分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储(chǔ)产业链上下(xià)游建(jiàn)立国内外(wài)广泛合(hé)作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确保存储(chǔ)晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司(sī)在(zài)下游市(shì)场的供应(yīng)优势(shì)，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保(bǎo)持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美光(guāng)在中国(guó)区(qū)销(xiāo)售受到(dào)限制，或(huò)将导致(zhì)下(xià)游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品猫肠胃不好老是吐怎么办，猫咪隔三差五吐但是精神很好

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或(huò)从中受益。存(cún)储器的(de)生(shēng)产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为(wèi)最(zuì)关键(jiàn)、最(zuì)大量的(de)加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未(wèi)来可能会更深的孔或(huò)者沟(gōu)槽，催生更多设备需(xū)求。据东京电子披露，薄(báo)膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支(zhī)合计(jì)为(wèi)75％。自长江存储被(bèi)加入美国(guó)限制名单，设备(bèi)国产化进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相(xiāng)关公司份额提升，以及存储业务(wù)占(zhàn)比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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