大(dà)家好，来看一则突发(fā)消息。

　　美光公司在华销(xiāo)售(shòu)的(de)产品未(wèi)通过网络安全(quán)审查

　　据(jù)网信办(bàn)消息，日前，网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查办(bàn)公室依(yī)法对美光(guāng)公司在华销售产(chǎn)品进行了网络(luò)安(ān)全审查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美光(guāng)公司产品(pǐn)存在较严重网(wǎng)络安(ān)全(quán)问题隐患，对我国关键信息基(jī)础设施供(gōng)应链造成重大安(ān)全风险，影响我国(guó)国家安全。为(wèi)此，网络(luò)安全审查(chá)办公室依(yī)法作出不予(yǔ)通过网络安全审查的(de)结论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我(wǒ)国内(n为党和人民的事业奋斗终身还是奋斗终生，奋斗终身还是奋斗终生的意思èi)关键信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施的运营者应(yīng)停(tíng)止采(cǎi)购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美(měi)光(guāng)公司产品进行网络安(ān)全审(shěn)查(chá)，目的是防范产品网络安全问题危害(hài)国(guó)家关键信息基础设施(shī)安全(quán)，是维(wéi)护国家安全的必要措(cuò)施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国(guó)法律法规要求(qiú)，欢迎各国(guó)企业、各类平台产(chǎn)品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称(chēng)，为(wèi)保障关键(jiàn)信(xìn)息基础(chǔ)设施(shī)供应链(liàn)安(ān)全，防(fáng)范产(ch为党和人民的事业奋斗终身还是奋斗终生，奋斗终身还是奋斗终生的意思ǎn)品(pǐn)问题(tí)隐患造成网络安全(quán)风险，维护国家安全，依(yī)据《中华人民共和(hé)国国家安全法》《中华人民共和(hé)国(guó)网(wǎng)络安全(quán)法(fǎ)》，网络安全审(shěn)查(chá)办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实(shí)施网络安全审查(chá)。

　　美光是(shì)美国的存(cún)储芯片(piàn)行(xíng)业龙头，也(yě)是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部(bù)数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存(cún)储等(děng)公司披露过美光等(děng)国际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光(guāng)在江波(bō)龙采(cǎi)购(gòu)占比已(yǐ)经显著下降，至少已经不是主要大(dà)供应(yīng)商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第(dì)一大(dà)、第二(èr)大和第三大供应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产业链上下游建(jiàn)立(lì)国内(nèi)外(wài)广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙(lóng)与三星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在下游市场的供应优势，公司也与(yǔ)国(guó)内国产(chǎn)存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)原(yuán)厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存(cún)储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美(měi)光在中国区销售(shòu)受到限制，或将导致下游(yóu)客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国(guó)内长江存储、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞对(duì)产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的为党和人民的事业奋斗终身还是奋斗终生，奋斗终身还是奋斗终生的意思(de)上游设备厂或从(cóng)中受(shòu)益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的(de)结构转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的(de)孔或者沟槽，催生更多(duō)设(shè)备需求。据东京电子披露，薄(báo)膜(mó)沉积设(shè)备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本开支(zhī)合计为(wèi)75％。自(zì)长江存(cún)储被加入美国限制名(míng)单，设备国产化进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升(shēng)，以及存(cún)储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入(rù)增(zēng)长(zhǎng)。

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