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　　美光公(gōng)司在(zài)华销售(shòu)的产品未通(tōng)过网络安全审查(chá)

　　据网信办消(xiāo)息，日(rì)前，网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查办公室依法(fǎ)对(duì)美光公司(sī)在(zài)华(huá)销售(shòu)产品进行了网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公(gōng)司产品存(cún)在较严重(zhòng)网络安全问题隐患(huàn)，对我(wǒ)国关键信息基础设施供(gōng)应(yīng)链(liàn)造成重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安(ān)全。为此，网络安全审(shěn)查(chá)办(bàn)公室依法(fǎ)作出不(bù)予通(tōng)过网(wǎng)络安全审查的结论。按照(zhào)《网络安全(quán)法》等(děng)法律(lǜ)法规，我(wǒ)国内关键信息基础设(shè)施(shī)的运营者(zhě)应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网络安全审查，目的是防(fáng)范(fàn)产品网络安全问题危害国家关键信息基础设(shè)施安全，是维护(hù)国(guó)家(jiā)安全的(de)必要措施(shī)。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开放，只要遵(zūn)守中(zhōng)国法(fǎ)律(lǜ)法规要(yào)求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国(guó)网信网(wǎng)发文称(chēng)，为保障关键信息基(jī)础设施供应链安全，防范产品问(wèn)题(tí)隐患造成网络安全(quán)风险，维护国家安(ān)全，依据《中华人民(mín)共和国国家安全法》《中(zhōng)华(huá)人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络安(ān)全(quán)审(shěn)查办(bàn)公室按(àn)照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销售的产品实(shí)施(shī)网络安全审查。

　　美光(guāng)是(shì)美(měi)国(guó)的存储芯片(piàn)行(xíng)业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来(lái)自中国市场收(shōu)入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等国际存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占(zhàn)比已经显著(zhù)下(xià)降，至少(shǎo)已经不(bù)是主要(yào)大(dà)供应(yīng)商(shāng)。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第一(yī)大(数学中e等于多少，高中数学中e等于多少dà)、第二(èr)大和第(dì)三大(dà)供应商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业链上(shàng)下游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存(cún)储晶圆原厂签署(shǔ)了(le)长期合约，确(què)保存(cún)储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的(de)供应优(yōu)势，公司(sī)也与(yǔ)国(guó)内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券(quàn)商此前(qián)就分析(xī)，如果美光在中国区销售受到限制，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对(duì)产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构(gòu)转变使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜成(chéng)为最关键、最大量的(de)加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时(shí)刻(kè)蚀目(mù)前(qián)前沿要(yào)刻(kè)到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生(shēng)更多(duō)设备需求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存储被加(jiā)入美(měi)国(guó)限制名单(dān)，设(shè)备国(guó)产化进程(chéng)加速，看好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份额(é)提升(shēng)，以及存储业务(wù)占(zhàn)比(bǐ)较(jiào)高的(de)华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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