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　　美(měi)光(guāng)公(gōng)司在华销售的产品未通过网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安全审查办公(gōng)室依法对美光公(gōng)司在华销售产品进行(xíng)了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存(cún)在较(jiào)严(yán)重网(wǎng)络安全问题(tí)隐患，对我国关键信息基础设(shè)施供应链造成重大安全风险，影响我(wǒ)国国家安(ān)全。为此，网络安全(quán)审(shěn)查(chá)办公室依法作出不予通过网络安全审查的结(jié)论(lùn)。按照《网络安全(quán)法》等法(fǎ)律法规，我(wǒ)国(guó)内(nèi)关键信息基(jī)础设施的运营者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公(gōng)司(sī)产品进行网络安全审查，目的(de)是防范产品网络安全问(wèn)题危(wēi)害(hài)国家(jiā)关(guān)键(jiàn)信息基础设施(shī)安(ān)全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进(jìn)高水平(píng)对外开(kāi)放，只要遵守中(zhōng)国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各类平台产(chǎn)品(pǐn)服务进入(rù)中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关键(jiàn)信(xìn)息基础设(shè)施供应链安全，防范(fàn)产品(pǐn)问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国(guó)家安全法(fǎ)》《中华(huá)人民共和国网络安全法》，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室按照《网络安全(quán)审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全(quán)审查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行业(yè)龙(lóng)头，也是全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自中(zhōng)国市场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨(zī)询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数(shù)据(jù)、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存(cún)储等公司披露过(guò)美光等(děng)国际存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在(zài)江波龙采购(gòu)占比(bǐ)已经显著(zhù)下降，至(zhì)少已经不是主要(yào)大供应(yīng)商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第(dì)一大存(cún)储晶圆供应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大(dà)、第二大(dà)和第三大供应商(shāng)采(cǎi)购金额占(zhàn)比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游(yóu)建立(lì)国内外(wài)广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙与三星、美(měi)光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约，确保存(cún)储(chǔ)晶圆供应(yīng)的稳(wěn)定(dìng)性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司(sī)也(yě)与国内国产存(cún)储晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江存(cún)储(chǔ)、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前(qián)就分析(xī)，如(rú)果美光(guāng)在中国(guó)区销售(shòu)受到限制，或将导致(zhì)下游客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等(děng)竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或(huò)从(cóng)中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入(rù)3D NAND时(shí)代(dài)，2 维(wéi孙正义为什么是中国姓 孙正义有中国血统吗)到3维(wéi)的结构转变使刻(kè)蚀和(hé)薄膜(mó)成为最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京(jīng)电子披露(lù)，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被(bèi)加(jiā)入(rù)美国限制名单，设(shè)备国产化进程加速(sù)，看好拓荆(jīng)科(kē)技(jì)（薄(báo)膜(mó)沉积）等相关公司份额提(tí)升，以及存储业务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增(zēng)长。

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