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　　美光公司在华销售的产品未通过网(wǎng)络安全审查(chá)

　　据网信办消(xiāo)息(xī)，日前，网络(luò)安全(quán)审查办公室(shì)依法(fǎ)对美(měi)光公司在华(huá)销售产品进(jìn)行了网络安全(quán)审(shěn)查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在较严重网(wǎng)络(luò)安全问题隐患，对我国关键信息(xī)基础设(shè)施(shī)供应链造成重大安全风险，影响我国国家(jiā)安全(quán)。为(wèi)此，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室(shì)依法作出不予通过网络安(ān)全审查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法(fǎ)律法规，我(wǒ)国内关键信(xìn)息基础设施的运营者应停止采购(gòu)美光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对(duì)美光公司产品进行网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)，目(mù)的是(shì)防范产品网(wǎng)络安全(quán)问(wèn)题危害国家关(guān)键信(xìn)息基础设施安全，是维护国家(jiā)安全的必(bì)要措(cuò)施。中国坚(jiān)定(dìng)推进(jìn)高水平(píng)对外开放(fàng)，只要(yào)遵守(shǒu)中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服务进入中(zhōng)国市(shì)场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称(chēng)，为保障关键信息(xī)基础设施(shī)供应链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安(ān)全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据(jù)《中华(huá)人民(mín)共(gòng)和国国家安全(quán)法》《中华人民共和国网络安(ān)全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华(huá)销售的(de)产品实施网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　美光是(shì)美国的存(cún)储芯片行(xíng)业龙(lóng)头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中国市场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市(shì)场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存(cún)储等(děng)公司(sī)披露过美光等国际(jì)存储(chǔ)厂商为公司供应商(shāng)。

　　美(měi)光在江波(bō)龙采购占比已经显著下降，至少(shǎo)已(yǐ)经不是主(zhǔ)要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光(guāng)位列(liè)江波(bō)龙第(dì)一(yī)大存储晶圆供(gōng)应(yīng)商，采购(gòu)约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大(dà)、第二大和第三大供(gōng)应(yīng)商(shāng)采购金额占(zhàn)比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上(shàng)下游建(jiàn)立(lì)国内外广泛(fàn)合作。2022年年报(bào)显破壁机能绞肉吗，破壁机能绞肉馅吗示，江波(bō)龙与(yǔ)三星、美光(guāng)、西(xī)部数据破壁机能绞肉吗，破壁机能绞肉馅吗破壁机能绞肉吗，破壁机能绞肉馅吗>等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应的(de)稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应(yīng)优势(shì)，公司也与国内国产存(cún)储晶(jīng)圆原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前(qián)就(jiù)分析(xī)，如(rú)果美光在中国(guó)区(qū)销售受(shòu)到限(xiàn)制，或将(jiāng)导致下游客户转而采购国外(wài)三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产(chǎn)已(yǐ)经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维(wéi)到3维(wéi)的结构转变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄膜(mó)成(chéng)为最关键、最大(dà)量(liàng)的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽(cáo)，催生更(gèng)多设备需求。据(jù)东京电子披露(lù)，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本(běn)开支合(hé)计为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被(bèi)加(jiā)入美国限(xiàn)制(zhì)名单，设备国产化进(jìn)程加速(sù)，看(kàn)好(hǎo)拓荆科(kē)技(jì)（薄膜(mó)沉积(jī)）等相(xiāng)关(guān)公司份额(é)提升，以及(jí)存储业(yè)务占比(bǐ)较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收(shōu)入增(zēng)长。

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