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　　美光公司(sī)在华销(xiāo)售(shòu)的产品未通过网络安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络(luò)安(ān)全审查办公室依法对美光(guāng)公司在华销(xiāo)售产品进(jìn)行了网络安全审查(chá)。

　　审查发(fā)现，美光(guāng)公司(sī)产品存在(zài)较严重网(wǎng)络安全问题(tí)隐患，对我国关键信息基础设施供应链造(zào)成重(zhòng)大安全风(fēng)险，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安(ān)全审查办公室依法作出不(bù)予(yǔ)通(tōng)过网络安(ān)全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信息基础设施的(de)运(yùn)营者应停止采(cǎi)购美光公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目(mù)的是防(fáng)范产品网络安(ān)全(quán)问题危(wēi)害国家关键信息基础设施(shī)安(ān)全，是维(wéi)护国家安全的必要(yào)措施(shī)。中国坚(jiān)定推(tuī)进(jìn)高水平对外(wài)开放(fàng)，只(zhǐ)要(yào)遵守中苏三起解的故事，苏三起解的故事简介国(guó)法(fǎ)律(lǜ)法规(guī)要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平(píng)台产(chǎn)品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网信网发(fā)文称(chēng)，为保障关键信息基础设施(shī)供应链安全，防范产品问题隐患(huàn)造成网络安全风险，维护国家安全(quán)，依据《中华人(rén)民共和国国家安全法》《中华(huá)人民共和国网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室(shì)按(àn)照《网络安全审查办法》，对(duì)美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实(shí)施网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全(quán)球(qiú)存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入(rù)来自(zì)中(zhōng)国市场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波(bō)龙、佰维存(cún)储等(děng)公司披露过美光等国际存储(chǔ)厂(chǎng)商为公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购(gòu)占比已经显著下降，至少已经(jīng)不是(shì)主要大供应商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美光(guāng)位列(liè)江波龙第一大存(cún)储晶圆供应商(shāng)，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和(hé)第三(sān)大(dà)供应(yīng)商(shāng)采购(gòu)金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在(zài)存储产业链上下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报(bào)显(xiǎn)示，江波(bō)龙与三星、美(měi)光、西部数据等(děng)主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期(qī)合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩(gǒng)固(gù)公司在(zài)下游市场(chǎng)的供应优势，公司(sī)也苏三起解的故事，苏三起解的故事简介与国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的(de)合作(zuò)。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美光在(zài)中国区销售受(shòu)到限制，或(huò)将导致下游客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中(zhōng)受益。存(cún)储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关(guān)键、最大量的加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要经(jīng)过薄膜(mó)沉积工(gōng)艺(yì)步(bù)骤(zhòu)，同时刻蚀目(mù)前前沿要(yào)刻到 60：1的(de)深孔，未(wèi)来(lái)可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限(xiàn)制(zhì)名单(dān)，设(shè)备国产化进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额提苏三起解的故事，苏三起解的故事简介升(shēng)，以及存储业务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增(zēng)长(zhǎng)。

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