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　　美(měi)光公司在华销售的(de)产品未通(tōng)过网络安全审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)依(yī)法对美光公(gōng)司在华销(xiāo)售产(chǎn)品进行(xíng)了网络安全(quán)审查。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美光公司(sī)产(chǎn)品存在较严重网络安全问题(tí)隐患，对我国关键(jiàn)信息基础设施供应链造成重大安全风险，影(yǐng)响我(wǒ)国国家安全。为此，网络(luò)安全审查办公(gōng)室依法作出不予通过(guò)网络安(ān)全审(shěn)查的(de)结论。按照《网络安全法》等(děng)法律法规，我(wǒ)国内关键(jiàn)信息基础设施的运营者(zhě)应(yīng)停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此(cǐ)次(cì)对美光(guāng)公司(sī)产品进行网络安(ān)全审查，目的是(shì)防范产品网络安全问题危害国(guó)家关键信息基础设施(shī)安全，是维护国家安全(quán)的必要(yào)措施。中国坚定推进高水平对(duì)外开放，只要遵守中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中(zhōng)国网信网发文称，为保障关键信息基(jī)础(chǔ)设施(shī)供应链安(ān)全，防范产品问题隐患(huàn)造成网(wǎng)络安全风险，维护国家安全，依据《中华人(rén)民共和国国家(jiā)安(ān)全法》《中华(huá)人民共和国(guó)网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按(àn)照(zhào)《网(wǎng)络安(ān)全(quán)审(shěn)查办(bàn)法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的(de)产品实施(shī)网络安全审查(chá)。

　　美光是(shì)美国(guó)的存储(chǔ)芯片行业龙(lóng)头，也是全(quán)球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收(shōu)入来自中(zhōng)国(guó)市场收(shōu)入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额(é)约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士(shì)、美(měi)光(guāng)在(zài)全(quán)球 DRAM （内(nèi)存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存(cún)储等(děng)公司披露过美光等国际存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在(zài)江波龙(lóng)采(cǎi)购占比已经显著下降，至少已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光(guāng)位(wèi)列(liè)江波龙第一大存储(chǔ)晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和(hé)第三大(dà)供应商(shāng)采购(gòu)金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业链上(shàng)下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报(bào)显示，江波龙(lóng)与三(sān)星、美光、西部数据(jù)等主要存储晶圆原(yuán)厂签(qiān)署了长(zhǎng)期合约，确保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供应50克有多少参照物图片，50克有多少参照物(yīng)的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市(shì)场的供应(yīng)优(yōu)势，公司也(yě)与国内国(guó)产存(cún)储晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商(shāng)此前就分(fēn)析(xī)，如(rú)果美(měi)光在中国区销售(shòu)受到限(xiàn)制，或将导致下游(yóu)客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购(gòu)国外三星、 SK海力士，50克有多少参照物图片，50克有多少参照物国(guó)内(nèi)长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或(huò)从中受益(yì)。存储(chǔ)器的生产已经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为(wèi)最关(guān)键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据(jù)东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合(hé)计(jì)为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限制名(míng)单(dān)，设备国(guó)产(chǎn)化进程加速，看好拓荆(jīng)科(kē)技（薄(báo)膜沉积(jī)）等相关公司份额提升，以及存储业(yè)务占比较高(gāo)的(de)华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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