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　　美光(guāng)公司在华(huá)销售的产品未通(tōng)过(guò)网络安(ān)全审查

　　据网(wǎng)信办消息(xī)，日前，网络安全审查办(bàn)公室依法对美光(guāng)公(gōng)司在华销售产品进行了(le)网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存在较(jiào)严(yán)重网络(luò)安全问(wèn)题隐患(huàn)，对(duì)我国关(guān)键信息基础设施(shī)供应链造成重大(dà)安(ān)全风险，影响我国国(guó)家安(ān)全。为此(cǐ)，网络(luò)安全审查办公室(shì)依法作出不予(yǔ)通过网络(luò)安全(quán)审查(chá)的结论。按照《网(wǎng)络(luò)安全法》等法律法规，我国(guó)内关键信息基础设施的(de)运营(yíng)者应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公司(sī)产品进行网络安全审查，目的是防范产品(pǐn)网络安全问题危害国家关键信息基础设施安全，是维护国家安全(quán)的(de)必要(yào)措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平台产(chǎn)品服务(wù)进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信网发文(wén)称，为保障关键信息基础设施供应链(liàn)安全(quán)，防(fáng)范产品问题隐患(huàn)造成网络(luò)1兆等于多少mb流量，1G等于多少MB安全风险，维护国家安全，依据《中华(huá)人民共(gòng)和国国家安全法(fǎ)》《中华人民共(gòng)和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室按照《网络安(ān)全审(shěn)查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是美(měi)国的(de)存储芯片(piàn)行业龙头，也(yě)是全球(qiú)存储(chǔ)芯片巨(jù)头之一，2022年收入(rù)来(lái)自中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约11％。根据市场(chǎng)咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额(é)约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光在(zài)全(quán)球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市(shì)场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储(chǔ)等公司披露过美(měi)光(guāng)等国(guó)际(jì)存(cún)储(chǔ)厂(chǎng)商为公(gōng)司(sī)供应商。

　　美光(guāng)在江波龙(lóng)采购(gòu)占比(bǐ)已经显(xiǎn)著下降，至少已经(jīng)不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大(dà)存(cún)储晶圆供应商(shāng)，采购(gòu)约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第三(sān)大供(gōng)应商采购金额占比分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经(jīng)在(zài)存储产(chǎn)业链上下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星(xīng)、美(měi)光、西部(bù)数据等主要存储晶(jīng)圆(yuán)原厂签署了长期(qī)合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定(dìng)性(xìng)，巩固公司(sī)在下游市场的供应优势，公司(sī)也与(yǔ)国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前(qián)就分析，如果美光在中国区销售受(shòu)到限制，或(huò)将导致下游客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫(xīn)的上(shàng)游设备厂或从中(zhōng)受(shòu)益(yì)。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结(jié)构转变(biàn)使刻(kè)蚀和薄膜(mó)成(chéng)为最(zuì)关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄(báo)膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会(huì)更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备(bèi)需求。据东(1兆等于多少mb流量，1G等于多少MBdōng)京电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自长江存储被加入美国限制(zhì)名单(dān)，设(shè)备国产化进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相(xiāng)关公司份额提升，以及(jí)存储业务(wù)占比较(jiào)高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗）等收入(rù)增(zēng)长(zhǎng)。

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